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전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.1, 2018년, pp.205 - 208
금동민 (Dept. of Electronics and Electrical Engineering, Hongik University) , 김형탁 (Dept. of Electronics and Electrical Engineering, Hongik University)
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In this work, we performed reverse- and forward-gate bias stress tests on normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) with p-AlGaN-gate for reliability assessment. Inverse piezoelectric effect, commonly observed in Schottky-gate AlGaN/GaN HEMTs during reverse bias stress, was no...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 상시불통형 GaN 이종접합 트랜지스터가 상시도통형 소자와 다른 점은? | 상시도통형 GaN 이종접합 트랜지스터 역시 상용화를 위한 신뢰성 연구가 활발히 진행되어 주요열화기구의 하나로 게이트 역전압 시험 중 역압전 효과에 의한 누설전류의 증가가 확인되었다[8][9]. 그러나 상시불통형 GaN 이종접합 트랜지스터의 경우 상시도통형 소자와 달리 트랜지스터의 온-동작 시 게이트에 순전압이 인가되어야 한다. | |
| 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터의 특성은? | 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터는 넓은 밴드갭과 높은 전자 포화 속도 등의 우수한 물질적 특성을 바탕으로 차세대 전력 반도체로서 상용화를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[1][2]. 특히 이종접합계면에서 인위적인 불순물 주입 없이도 강한 분극 효과에 의해 높은 농도의 2차원 전자채널이 형성된다는 큰 장점이 있다[3]. | |
| 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터의 장점은? | 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터는 넓은 밴드갭과 높은 전자 포화 속도 등의 우수한 물질적 특성을 바탕으로 차세대 전력 반도체로서 상용화를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[1][2]. 특히 이종접합계면에서 인위적인 불순물 주입 없이도 강한 분극 효과에 의해 높은 농도의 2차원 전자채널이 형성된다는 큰 장점이 있다[3]. 그러나 이러한 효과로 인해 게이트 전압이 인가되지 않아도 채널이 형성되어 상시도통형 동작을 하게 된다. |
U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. Wu, "AlGaN/GaN HEMTs-an overview of device operation and applications," Proc. IEEE, vol. 90, no. 6, pp. 1022-1031, 2002. DOI: 10.1109/JPROC.2002.1021567
L. F. Eastman and U. K. Mishra, "The Toughest yet [GaN Transistors]," IEEE spectr., vol. 39, no. 5, pp. 28-33, 2002. DOI: 10.1109/6.999791
O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, "Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures," J . Appl. Phys., vol. 78, no. 1, pp. 334-344, 2000. DOI:10.1063/1.371866
B. R. Park, J. G. Lee, W. Choi, H. Kim, K. S. Seo, and H. Y. Cha, "High-quality ICPCVD $SiO_2$ for normally-off AlGaN/GaN-on-Si recessed MOSHFETs," IEEE Electron Device Lett., vol. 34, no. 3, pp. 354-356, 2013. DOI: 10.1109/LED.2012.2236678
Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, "Gate Injection Transistors (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 12, pp. 3393-3399, 2007. DOI: 10.1109/TED.2007.908601
I. Hwang, H. Choi, J. . Lee, H. S. Choi, J. Kim, J. Ha, C. Y. Um, S. K. Hwang, J. Oh, J. Y. Kim, J. K. Shin, Y. Park, U. Chung, I. K. Yoo, and K. Kim, "1.6 kV, 2.9 $m{\Omega}{\cdot}cm^2$ Normally-off p-GaN HEMT Device," in Proc. Int. Symp. Power. Semicond. Device(ISPSD), 2012, pp. 41-44. DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229018
O. Hilt, A. Knauer, F. Brunner, WE. Bahat-Treidel, and J. Wurfl, "Normally-off AlGaN/GaN HFET with p-type GaN Gate and AlGaN buffer," in Proc. Int. Symp. Power. Semicond. Device(ISPSD), 2010, pp. 347-350.
J.A. del Alamo and J. Joh, "GaN HEMT Reliability," Microelectron. reliab., vol. 49, no. 9-11, pp.1200-1206, 2009. DOI:10.1016/j.microrel.2009.07.003
M. Meneghini, A. Stocco, M. Bertin, D. Marcon, A. Chini, G. Meneghesso, and E. Zanoni, "Time-dependent degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse bias," Appl. Phys. Lett., vol. 100, no. 3, p. 033505, 2012. DOI:10.1063/1.3678041
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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