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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.4, 2018년, pp.198 - 202
이태섭 (광운대학교 전자재료공학과) , 안재인 (광운대학교 전자재료공학과) , 김소망 (광운대학교 전자재료공학과) , 박성준 (광운대학교 전자재료공학과) , 조슬기 (광운대학교 전자재료공학과) , 주기남 (한국원자력연구원) , 조만순 (한국원자력연구원) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
In this work, we have investigated the effect of a 30-min thermal anneal at
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4H-SiC DMOSFET의 전기적 특성의 개선을 확인하는 법은? | 따라서 본 연구에서는 4H-SiC DMOSFET에 중성자를 조사한 후, 게이트 산화막의 interface trap과 oxiderap charge의 형성을 확인하고, 열처리를 통하여 특성을 개선하였다. 소자의 문턱 전압(threshold voltage)과 누설 전류(leakage current), 항복 전압(breakdown voltage), 유효 이동도(effective mobility)의 확인을 통해 전기적 특성이 개선된 것을 확인하였다. | |
금속 산화물 반도체에 중성자와 양성자가 조사되었을 때의 현상은? | 고방사선 환경에서 금속 산화물 반도체(metal-oxideemiconductor field effect transistor, MOSFET) 소자의 원하는 동작 특성을 얻기 위해, 중성자(neutron)와 양성자(proton)가 조사되었을 때, 반도체 물질 및 소자에 미치는 특성 분석에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 중성자가 조사되면 MOS 구조에 interface trap과 oxide-trap charge가 생성되고, 양성자가 조사되면 감마선 결함이 발생한다 [11,12]. 그러나 이러한 결함과 interfacial state의 상세한 연구는 부족한 실정이다. | |
SiC의 특징은? | 26 eV)을 가지는 물질로 기존의 반도체물질의 한계점을 보완할 수 있는 물질로 각광받고 있다. SiC는 실리콘(Si)과 탄소(C)의 큰 결합에너지를 가지기 때문에 방사선 입자에 대한 저항성이 크고 화학적⋅물리적으로 안정하며 높은 전력 범위를 가지고 고온에서도 동작이 가능하여 전자⋅군사⋅우주 분야 등 방사능이 적용되는 사업 등에 적용 가능하다. 그러므로 SiC를 이용한 소자의 효율을 높이기 위해 다양한 연구개발이 진행되고 있다 [1-10]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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