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1차원 무기 반도체 신 물질 재료의 연구 개발 동향
One-dimensional inorgainc semiconductor materials 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.21 no.2, 2018년, pp.141 - 149  

류학기 (아주대학교 신소재공학)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In order to overcome the problems of existing low-dimensional materials (carbon nanotubes, graphene, transition metal dichalcogenides, etc) researches on new 1D materials have been studied. In the case of $LiMo_3Se_3$ and $Mo_6S_{9-x}I_x$, continuous researches have been carrie...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 2D 재료의 층간 결합 에너지가 반데르발스(van der Waals: vdW) 결합이나 정전 결합으로 나뉘어지는 것처럼 앞서 언급한 새로운 1D 물질들 또한 이러한 분류에 따라 분류할 수 있다(vdW 결합: Sb2Se3, Mo6S 9-xIx, VS4, 이온 삽입에 의한 정전기 결합: LiMo3Se3). 본 논문에서는 새로운 1D 재료를 1D 구조가 3D구조를 형성하는 방법의 차이를 통하여 구분하고 대표적인 새로운 1D 재료를 소개하며 재료의 합성 방법과 그 응용에 대하여 소개하고자 한다.

가설 설정

  • (a) 현재까지 합성된 CNT의 chirality에 따른 성장 지도: distributed growth (yellow) and high purity synthesis (red). CNT의 굵기에 따른 (b) band gap and (c) quantum yield. 10)
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
그래핀의 장단점은? 벌크 물질의 크기를 단순히 줄임으로써 얻는 나노 크기의 물질과는 달리, 원자 두께를 갖는 2D 물질은 종종 새로운 양자 물리적 특성과 우수한 전기적, 광학적 및 기계적 특성을 나타낸다. 몇 가지의 2D 재료 가운데 그래핀은 우수한 캐리어 이동도(~ 100,000 cm2 / V sec)를 가지지만 신뢰할 수 있는 반도체 소자에 필요한 밴드 갭을 갖지 않는 단점이 있다. 그래핀에 밴드갭을 형성시키기 위하여 그래핀 나노 리본(Graphene nano-ribbon: GNRs)을 제작하거나 그래핀의 층 수 조절 혹은 기체원자를 이용한 표면 개질 등의 방법 등이 거론 되었으나, 소자 활용이 용이한 크기의 밴드 갭(1 ~ 2 eV)를 균일하게 얻기 어려운 것으로 알려져 있다.
구조적 불완전성으로 생기는 전하의 이동특성 저하를 해결할 수 있는 방법은? 또한 표면적/ 체적 비율이 급격히 증가하는 10 nm 미만의 크기에서는 전도성(conductivity) 및 이동성(mobility)과 같은 전하의 이동 특성이 구조적 불완전성으로 인해 심각하게 감소하게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 연구자들은 2차원 재료 인(2-dimensional material: 2D 물질) 그래핀 및 전이 금속칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenides: TMDC)과 1차원 재료인(1-dimensional materials: 1D 물질) 탄소 나노 튜브(carbon nanotubes: CNTs)를 포함하는 저 차원 재료를 이용한 새로운 나노 소자 제작으로 패러다임을 바꾸려고 노력 해왔다.1-4)
그래핀에 밴드갭을 형성하기 위한 방법에는 어떤 것들이 있는가? 몇 가지의 2D 재료 가운데 그래핀은 우수한 캐리어 이동도(~ 100,000 cm2 / V sec)를 가지지만 신뢰할 수 있는 반도체 소자에 필요한 밴드 갭을 갖지 않는 단점이 있다. 그래핀에 밴드갭을 형성시키기 위하여 그래핀 나노 리본(Graphene nano-ribbon: GNRs)을 제작하거나 그래핀의 층 수 조절 혹은 기체원자를 이용한 표면 개질 등의 방법 등이 거론 되었으나, 소자 활용이 용이한 크기의 밴드 갭(1 ~ 2 eV)를 균일하게 얻기 어려운 것으로 알려져 있다.5-7) TMDC 및 흑린 (Black-phosphor)과 같은 다른 2D 반도체 재료는 적절한 밴드 갭(1 ~ 2 eV)을 갖지만, 이들의 안정성 혹은 전하 이동도 등이 현재 반도체 소자로 제작되고 있는 Si, Ge, 및 GaAs 와 비교하여 제한적이며 한계가 있다.
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참고문헌 (21)

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