[보고서]나노반도체장비원천기술상용화 총괄관리

김용태

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보고서 정보
주관연구기관	한국반도체연구조합 Consortium of Semiconductor Advanced Research
연구책임자	김용태
참여연구자	이원준 , 이종희 , 이정란
보고서유형	최종보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2012-11
과제시작연도	2011
주관부처	지식경제부 Ministry of Knowledge Economy
등록번호	TRKO201700001125
과제고유번호	1415117584
사업명	전자정보디바이스산업원천기술개발
DB 구축일자	2017-09-20

초록 ▼

3. 추진과제별 주요 연구실적

가. 구매연계형 (3개) : 공동구매연계형 양산장비 개발과제
o Boron doped Si 용 LPCVD 증착장비 개발
- Silicon 증착 공정에 대응 가능한 양산 장비 개발
- 300mm Boron doped Silicon 공정 용 증착 장비 수요업체에 납품
- 450mm System G450C 장비 선정 및 Beta Tool 개발
o 25nm급 oxide Trench etcher 개발
- 25nm급 Oxide Trench 장비 개발 및 상용화
· Particle Level : Bare Wafer를 사용하여 EFEM에서 PM구간의 0.08um크기의 Particle 개수를 <30ea이하로 제어함
o 30nm급 High Throughput Cu CMP 장비 개발
- 양산용 High Throughput Cu CMP장비 개발
· 3단계 연마 가능 구조
· 6 Platen / 8 HEAD구조, Dual Cleaner 채택

나. 시장개척형(4개) : 시장개척형 양산장비개발과제
o 1.8nm 고 분해능을 갖는 반도체 In-line CD-SEM개발
- 반도체 양산 Line에 적용 가능한 분해능 1.8nm 급 CD-SEM system 구현
- 분해능 1.8nm, 배율 500 ~ 1,000,000배, Landing energy 100 ~ 3,000eV, 가속전압 7,500 ~ 10,000eV의 성능을 가진 column 개발.
o 30nm급 Gap Fill 용 Flowable Oxide 증착장비개발
- Flowable Oxide 증착 장비 및 공정 기술 개발
· 30nm이하 반도체소자의 높은 단차비에서 공극(Void)없이 충진되는 절연막 개발
· 300mm Wafer에서 균일한 박막증착 특성을 확보하기 위한 증착구역 및 개질 구역 구현 및 최적 공정 조건 확보
o 300mm급 플라즈마 도핑장비 개발
- 차세대 이온도핑 공정을 위한 300mm 급 플라즈마 이온 도핑장비의 개발
o 25nm급 Poly etcher 개발
- 25nm급 Poly Etch 공정 기술 확보
- 25nm급 Poly Etch 양산 신뢰성 및 상용화 확보

다. 원천기술(5개) : 성과지향형 원천기술개발과제
o PRAM 및 ReRAM 장비용 Precursor 및 ALD 공정개발
- 상온 안정성을 갖는 GST ALD용 전구체 및 공정 개발
- 저항 변화 소자용 TiO₂, NiO, TaO_x, HfO_x 박막의 ALD 공정 및 Precursor 개발
o 450mm 장비 플라즈마 공정 해석용 고신뢰성 시뮬레이터 개발
- 대면적 (450 mm wafer) 플라즈마 공정 해석용 고신뢰성 시뮬레이터 개발
- High aspect ratio (AR) feature profile을 해석하기 위한 플라즈마 공정해석용 시뮬레이터
o 저손상 나노소자공정을 위한 450mm 장비 플라즈마 원천기술 개발
- 450mm 대면적 소스의 고균일도 플라즈마 확보
- 초고주파 소스 펄스 파워 매칭 반사파율 5% 이내로 달성
o 450mm 장비용 정전척 제작을 위한 요소 기술개발
- 450mm 정전척용 순도 99% 이상 유전체 세라믹 소재 개발
- 대구경 정전척용 세라믹 소재 제작기술
o 차세대 초고속 테스터를 위한 ASIC Chip 개발
- 초고속 메모리 및 SoC 소자특성 검증용 장비에 사용할 수 있는 Timing Formatter Chip 개발

(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록)

목차 Contents

표지 ... 1제 출 문 ... 2기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3목차 ... 7제 1 장 서 론 ... 8 제 1 절 기술개발의 필요성 ... 8 제 2 절 반도체장비산업의 현황 ... 14제 2 장 사업 총괄 ... 31 제 1 절 사업개요 ... 31 제 2 절 사업추진배경 및 주요경과 ... 32 제 3 절 연구개발 목표 및 내용 ... 33 제 4 절 연구개발 추진전략 및 수행과제 현황 ... 48 제 5 절 주요 추진실적 ... 51제 3 장 과제별 연구내용 ... 67 제 1 절 구매연계형 ... 67 제 2 절 시장개척형 ... 79 제 3 절 원천기술형 ... 93 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 117끝페이지 ... 118

참고문헌 (25)

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