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PDMS 굴절 조정층이 Mn-Doped SnO2 (MTO)/Ag/MTO/PDMS/MTO 투명전극의 특성에 미치는 영향
Effect of PDMS Index Matching Layer on Characteristics of Mn-Doped SnO2 (MTO)/Ag/MTO/PDMS/MTO Transparent Electrode 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.6, 2018년, pp.408 - 411  

조영수 (충북대학교 재료공학과) ,  장건익 (충북대학교 재료공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We fabricated highly flexible Mn-doped $SnO_2$ (MTO)/Ag/MTO/polydimethylsiloxane (PDMS)/MTO multilayer transparent conducting films. To reduce refractive-index mismatching of the MTO/Ag/MTO/polyethylene terephthalate (PET), index-matching layers were inserted between the oxide-metal-oxide...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 하지만 현재까지 OMO 다층막 구조에서 PDMS 증착을 위한 공정변수 연구가 전무한 상태이다. 본 연구에서는 MTO/Ag/MTO/PDMS/MTO 다층막에서 PDMS와 핵산과의 희석 비율이 다층 투명 전도막의 전기적 ⋅ 광학적 특성에 미치는 영향을 체계적으로 조사 ⋅ 분석하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
SnO2의 장단점은? 산화물로는 주로 SnO2, TiO2, ZnO 등의 n-type 반도체가 사용된다. 그중에서 SnO2는 내마모성으로 인해 에칭하기 어렵다는 단점이 있으나 가격이 저렴하고 내화학성이 우수하여 스퍼터링 방식에 의한 상온 증착이 가능하며, 3.5 eV 이상의 밴드 갭으로 인해 가시광선 영역에서 높은 투과율을 갖는 장점을 지니고 있다 [5]. 그러나 산화물은 대개 산소 공공에 의해서만 전도가 일어나기 때문에, 전도성을 부여하기 위해 SnO2에 망간을 첨가한 Mn-doped SnO2 (MTO)를 사용하고 있다.
투명 전도성 산화물이란? 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)은 1×10-3 Ω⋅cm 이하의 비저항을 갖고 넓은 밴드 갭으로 인해 가시광선 영역에서 높은 투과율을 갖는 물질이다. 가장 널리 사용되고 있는 투명 전극으로는 ITO(indium tin oxide)가 있다.
ITO의 한계는? 가장 널리 사용되고 있는 투명 전극으로는 ITO(indium tin oxide)가 있다. 하지만 높은 전기 전도도를 확보하기 위해서는 약 300℃ 이상에서의 도핑 공정이 필요하며, 특히 취성으로 인해 유연 기판에 증착하는 데 한계를 보이고 있다 [1]. 따라서 유연기판 적용을 위한 다양한 ITO 대체 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다 [2].
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참고문헌 (12)

  1. K. Alzoubi, M. M. Hamasha, S. Lu, and B. Sammakia, J. Disp. Technol., 7, 593 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1109/JDT.2011.2151830] 

  2. H. J. Moon, T. K. Gong, D. Kim, D. H. Choi, and D. I. Son, Trans. Electr. Electron. Mater., 17, 18 (2016). [DOI: http://doi.org/10.4313/TEEM.2016.17.1.18] 

  3. J. H. Kim, H. K. Lee, J. Y. Na, S. K. Kim, Y. Z. Yoo, and T. Y. Seong, Ceram. Int., 41, 8059 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2015.03.002] 

  4. C. Guillen and J. Herrero, Thin Solid Films, 520, 1 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.06.091] 

  5. Z. M. Jarzebski and J. P. Morton, J. Electrochem. Soc., 123, 333C (1976). [DOI: https://doi.org./10.1149/1.2132647] 

  6. J. G. Kim, S. M. Yoon, and G. E. Jang, J. Ceram. Process. Res., 17, 80 (2016). 

  7. J. G. Kim and G. E. Jang, J. Ceram. Process. Res., 17, 103 (2016). 

  8. D. Chen, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 68, 313 (2001). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0927-0248(00)00365-2] 

  9. C. H. Hong, J. H. Shin, B. K. Ju, K. H. Kim, N. M. Park, B. S. Kim, and W. S. Cheong, J. Nanosci. Nanotechnol., 13, 7756 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1166/jnn.2013.7814] 

  10. A. L. Thangawng, R. S. Ruoff, M. A. Swartz, and M. R. Glucksberg, Biomed. Microdevices, 9, 587 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1007/s10544-007-9070-6] 

  11. G. Haacke, J. Appl. Phys., 47, 4086 (1976). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.323240] 

  12. S. M. Yoon, J. W. Choi, and G. E. Jang, J. Nanosci. Nanotechnol., 17, 7218 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1166/jnn.2017.14753] 

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