다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.18 no.2, 2019년, pp.82 - 86
양희훈 (충남대학교 전자공학과) , 성재영 (충남대학교 전자공학과) , 이휘연 (충남대학교 전자공학과) , 정준교 (충남대학교 전자공학과) , 이가원 (충남대학교 전자공학과)
AI-Helper
The reliability of 3D NAND flash memory cell is affected by the charge migration which can be divided into the vertical migration and the lateral migration. To clarify the difference of two migrations, the activation energy of the charge loss is extracted and compared in a conventional square device...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 비휘발성 메모리의 신뢰성을 결정하는데 있어 매우 중요한 요인은 무엇인가? | 데이터 유지 특성은 메모리에 데이터를 입력 후, 얼마나 오랜 시간동안 데이터를 유지할 수 있는지를 결정하는 요인이다. 따라서, 비휘발성 메모리에서의 데이터 유지 특성은 신뢰성을 결정하는데 있어 매우 중요한 요인이라 할 수 있다. 기존의 planar 구조에서는 각 셀들이 분리되어 전자전하층을 공유하지 않았다. | |
| 메모리 소자의 고밀도화를 위한 소형화가 급속도로 진행되면서 발생한 문제에는 어떤 것들이 있는가? | 이에 메모리 소자의 고밀도화를 위한 소형화가 급속하게 진행되어 왔지만 planner 구조의 소자에서 채널의 길이가 짧아지고, 소자 간 간격이 좁아짐으로 인하여 여러 문제가 발생했다. 대표적으로 drain induced barrier lowering (DIBL) [1,2], punch through [3,4] 와 같은 short channel effect [5,6]를 들 수 있다. 또한 각 셀의 간격이 줄어들면서 소자 간 coupling으로 interference 현상이 심화된다 [7,8]. 이 외에 소자를 이루는 각 층을 축소시키는 데에도 문제가 발생하는데 대표적으로 게이트 절연막 두께 감소에 의한 direct tunneling 현상의 심화이다[9]. Planar 구조 메모리 소자의 이러한 한계를 극복하기 위해 여러 3D 구조의 소자가 연구되고 있다. | |
| 메모리의 데이터 유지 특성은 무엇인가? | 메모리의 신뢰성을 판단하는 성능으로는 데이터의 쓰기, 지우기 동작의 반복 가능 횟수(Cycling endurance)와 데이터의 유지 특성(Retention)이 있다. 데이터 유지 특성은 메모리에 데이터를 입력 후, 얼마나 오랜 시간동안 데이터를 유지할 수 있는지를 결정하는 요인이다. 따라서, 비휘발성 메모리에서의 데이터 유지 특성은 신뢰성을 결정하는데 있어 매우 중요한 요인이라 할 수 있다. |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.