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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.14 no.5, 2019년, pp.877 - 886
정호용 (전남대학교 의공학과) , 김대익 (전남대학교 전기전자통신컴퓨터공학부)
The energy band gaps and optical constants of zincblende
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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섬아연광구조 반도체의 장점은 무엇인가? | 질화물계 화합물 반도체는 우르짜이트(wurtzite)구 조와 섬아연광(zincblende)구조로 되어 있으며, 대부분의 질화물계 반도체들은 우르짜이트 구조로 실험실에서 성장되어 왔으며, 실험적으로나 이론적으로 연구가 활발히 진행되어 왔다. 그러나 섬아연광구조 반도체는 여전히 우르짜이트구조 반도체에 비하여 광전소자에 있어서 큰 광이득과 작은 임계전류밀도 등을 갖는 장점이 있음에도 불구하고 상대적으로 연구가 활발하지 못하였다[4]. | |
III-V-N족 질화물계 화합물 반도체의 특징은 무엇인가? | III-V-N족 질화물계 화합물 반도체(nitride semiconductor)는 조성비를 조절함으로써 원자외선 (deep-ultraviolet) 영역으로부터 근적외선(near infrared) 영역에 이르는 광대역 에너지 밴드갭을 가지며, LED(light emitting diode), LD(laser diode)등의 광전소자 및 전자소자 등에 사용되고 있다[1,2]. | |
질소 level EN의 성질 특성은 무엇인가? | 3원계 질화물계 화합물 반도체에 대한 BAC모델은 과거에는 계산에서 EN 과 CMN은 상수 값을 갖는 것으로 알려져 있다[5]. 그러나, EN은 질소의 조성비 x 가 증가함에 따라 감소하는 성질이 있으며, 에너지 밴드갭 역시 온도가 증가함에 따라 감소한다. 따라서, 질소 level EN은 온도 T 및 질소의 조성비 x의 함수로 식 (8)과 같이 가정할 수 있다[12]. |
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