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NTIS 바로가기韓國컴퓨터情報學會論文誌 = Journal of the Korea Society of Computer and Information, v.25 no.3, 2020년, pp.1 - 9
Hong, Seokin (School of Computer Science and Engineering, Kyungpook National University)
In this paper, we propose an efficient adaptive write scheme that improves the performance of write operation in MLC STT-MRAM caches. The key idea of the proposed scheme is to perform the write operation fast if the target MLC STT-MRAM cells contain a dead block. Even if the fast write operation on ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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STT-MRAM이란? | Spin transfer torque magnetic random access memory(STT-MRAM)는 SRAM보다 액세스 시간이 짧고 대기 전력 소모가 적은 새로운 비휘발성 메모리 기술 이다 [1]. STT-MRAM은 SRAM보다 셀 크기가 매우 작으므로 캐시 메모리의 데이터 집적도를 크게 향상시킬 수있다. | |
SRAM의 한계점은 무엇인가? | 프로세서의 코어 수가 증가하고 애플리케이션의 작업 세트 (Working set) 크기가 증가함에 따라 멀티 코어 프로세서에는 더 큰 크기의 캐시 메모리(Cache)가 필요하 다. 그러나, 현재 캐시 메모리의 메모리 소자로 사용되는 SRAM (Static Random Access Memory)은 높은 누설 전력 소비 및 낮은 신뢰성으로 인해 확장성에 한계가 있다. | |
MLC STT-MRAM의 읽기 동작은 어떻게 동작하는가? | 4a)[2]. 첫 번째 단계 에서는 MTJ에 읽기 전류를 주입한 다음, 유도된 VBL을 Vref2 와 비교하여 하드 도메인의 자기 방향을 결정한다. 두 번째 단계에서 읽기 전류를 다시 주입한 뒤, 유도된 VBL을 Vref3또는 Vref1과 비교하여 소프트 도메인의 자기 방향을 결정한다. 따라서, SLC STT-MRAM보다 MLC STT-MRAM의 읽기 지연시간이 약 1. |
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