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형광 나노입자: 합성 및 응용
Fluorescent Nanoparticles: Synthesis and Applications 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.27 no.2, 2020년, pp.154 - 163  

김영국 (재료연구소 기능분말연구실) ,  송병관 (재료연구소 기능분말연구실) ,  이정구 (재료연구소 기능분말연구실) ,  백연경 (재료연구소 기능분말연구실)

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Fluorescent nanoparticles are characterized by their unique properties such as luminescence, optical transparency, and sensitivity to various chemical environments. For example, semiconductor nanocrystals (quantum dots), which are nanophosphors doped with transition metal or rare earth ions, can be ...

주제어

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문제 정의

  • 7). 그 중에서도 시작물질을 단순한 화합물을 이용하여 합성하는 bottom-up 방식의 경우 합성공정의 편이성 및 균일성 확보 가능성 등으로 인해 널리 사용되고 있으며, 형광 나노입자의 특성 제어에 효과적이며, 본 고에서는 용액기반 bottom-up 방식에 대해 합성 동향을 조사하고 요약하였다.
  • 형광 나노입자는 일반적인무기소재 제조 공정으로 쉽게 제조할 수 있으며, 특히 용액기반 공정을 적용하는 경우 입자크기 미세화 및 균일도 향상 측면에서 많은 성과가 가능하여, 침전법, 수열합성법, sol-gel법 등 다양한 공정이 적용되고 있다. 본 고에서는일반 형광체 대비 독특한 광학적 특성을 가지는 형광 나노입자의 합성 및 응용에 대해 정리하였으며, 향후 관련응용분야의 확대 및 형광 입자 자체의 다양화가 기대된다.
  • 형광 나노입자는 디스플레이, 조명, 태양전지 등에 적용되어 현재 일부 상업화가 진행되고 있으며, 분석기술 분야, 위조방지 분야 등에서도 활용성이 크다. 본문에서는 형광나노입자의 광학적 특성 및 합성 공정과 더불어 형광 나노입자의 특성을 활용하는 응용 사례를 분석 기술 및 위조 방지 등을 중심으로 소개하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
형광 나노입자의 대표적인 사례는? 형광 나노입자의 대표적인 사례로는 반도체 나노입자(양자점), 나노형광체(nanophosphor) 등을 들 수 있다. 반도체 나노입자의 경우 별도로 첨가제를 도입하지 않더라도 반도체 밴드갭 이상의 에너지를 가지는 빛을 이용하여 형광 발생이 가능하며 발광 효율이 매우 높고, 반가 폭이 좁은 발광 스펙트럼을 나타내고 있으나, 장기간의 안정성 확보를 위한 후처리가 필요하다.
형광 나노입자는 기존의 다른 형광물질에 비해 어떤 특성이 우수한가? 형광 나노입자는 수십 마이크로미터 크기를 가지는 일반적인 형광체와 달리 1 마이크로미터 이하의 크기를 가지며, 이에 따른 표면적/부피비의 증가로 인해 나노스케일에서 발생하는 다양한 효과로 인해 벌크 형광체와 다른 물성을 나타내게 된다[1]. 형광 나노입자는 기존의 다른 형광물질에 비하여 우수한 열적, 화학적 안정성, 광안정성, 높은 발광세기 등으로 인하여 다양한 응용 분야 적용이가능하다. 또한 형광 나노입자는 간단한 용액기반 공정을통해 쉽게 물리화학적 특성의 조절이 가능하여 1980년대 Brus 등의 연구를 필두로 기초연구 및 응용기술 개발 전반에 걸쳐 활발한 연구개발이 이루어져 왔다[2].
형광 나노입자 중 반도체 나노입자의 장단점은? 형광 나노입자의 대표적인 사례로는 반도체 나노입자(양자점), 나노형광체(nanophosphor) 등을 들 수 있다. 반도체 나노입자의 경우 별도로 첨가제를 도입하지 않더라도 반도체 밴드갭 이상의 에너지를 가지는 빛을 이용하여 형광 발생이 가능하며 발광 효율이 매우 높고, 반가 폭이 좁은 발광 스펙트럼을 나타내고 있으나, 장기간의 안정성 확보를 위한 후처리가 필요하다. 나노형광체는 기존의 형광체와 유사한 조성을 가지며, 높은 밴드갭을 가지는 기지상에 이종 원자 이온을 도입하여 발광특성을 나타내게 된다.
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참고문헌 (23)

  1. J. McKittrick and L. E. Shea-Rohwer: J. Am. Ceram. Soc., 97 (2014) 1327. 

  2. K. Jha and M. Jayasimhadri: J. Alloys Compd., 688 (2016) 833. 

  3. H. Chander: Mater. Sci. Eng. R, 49 (2005) 113. 

  4. J. Cui, A. P. Beyler, I. Coropceanu, L. Cleary, T. R. Avila, Y. Chen, J. M. Cordero, S. L. Heathcote, D. K. Harris, O. Chen, J. Cao and M. G. Bawendi: Nano Lett., 16 (2016) 289. 

  5. P. K. Sharma, R. K. Dutta and A. C. Pandey: J. Appl. Phys., 112 (2012) 054321. 

  6. S. Silvi, M. Baroncini, M. L. Rosa and A. Credi: Top. Curr. Chem., 374 (2016) 65. 

  7. F. Auzel: Chem. Rev., 104 (2004) 139. 

  8. R. Rossetti, J. L. Ellison, J. M. Gibson and L. E. Brus: J. Chem. Phys., 80 (1984) 4464. 

  9. L. Qi, H. Colfen and M. Antonietti: Nano Lett., 1 (2001) 61. 

  10. J. Zhu, Y. Koltypin and A. Gedanken: Chem. Mater., 12 (2000) 73. 

  11. H. Xu, B. W. Zeiger and K. Suslick: Chem. Soc. Rev., 42 (2013) 2555. 

  12. W. Shan, R. Li, J. Feng, Y. Chem and D. Guo: Mater. Chem. Phys., 162 (2015) 617, 

  13. P. T. Lien, N. T. Huong, T. T. Huong, H. T. Khuyen, N. T. N. Anh, N. D. Van, N. N. Tuan, V. X. Nghia and L. Q. Minh: J. Nanomater., 2019 (2019) 3858439. 

  14. L. Zhou, J. Shi and M. Gong: J. Lumin., 113 (2005) 285. 

  15. J. Y. Jung, B. K. Song and Y. K. Kim: J. Alloy. Compd., 791 (2019) 81. 

  16. J. Y. Jung, J. G. Lee, Y. K. Baek, Y. D. Kim, J. P. Hong and Y. K. Kim: J. Alloy. Compd., 784 (2019) 816. 

  17. S. Peter, A. Patel and A. Kitai: J. Lumin., 211 (2019) 82. 

  18. S. Wu, G. Han, D. J. Miliron, S. Aloni, V. Altoe, D. V. Talapin, B. E. Cohen and P. J. Schuck: PNAS, 106 (2009) 10917. 

  19. S. M. Ng, M. Koneswaran and R. Narayanaswamy: RSC Advances, 6 (2016) 21624. 

  20. M. Saif, R. Kamal and H. S. Hafez: J. Alloy. Compd., 803 (2019) 658. 

  21. O. S. Kwon, H. S. Song, J. Conde, H. I. Kim, N. Artzi and J. H. Kim: ACS Nano, 10 (2016) 1512. 

  22. J. Y. Park, J. W. Chung and H. K. Yang: Ceram. Int., 45 (2019)11591. 

  23. K. M. Girisha, S. C. Prashanthab and H. Nagabhushana: J. Sci. Adv. Mater. Devices, 2 (2017) 360. 

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