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SPICE를 사용한 3D NAND Flash Memory의 Channel Potential 검증
The Verification of Channel Potential using SPICE in 3D NAND Flash Memory 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.25 no.4, 2021년, pp.778 - 781  

김현주 (Dept. of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation) ,  강명곤 (Dept. of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation)

초록
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본 논문에서는 SPICE를 사용한 16단 3D NAND Flash memory compact modeling을 제안한다. 동일한 structure와 simulation 조건에서 Down Coupling Phenomenon(DCP)과 Natural Local Self Boosting(NLSB)에 대한 channel potential을 Technology Computer Aided Design(TCAD) tool Atlas(SilvacoTM)와 SPICE로 simulation하고 분석했다. 그 결과 두 현상에 대한 TCAD와 SPICE의 channel potential이 매우 유사한 것을 확인할 수 있었다. SPICE는 netlist를 통해 소자 structure를 직관적으로 확인할 수 있다. 또한, simulation 시간이 TCAD에 비해 짧게 소요된다. 그러므로 SPICE를 이용하여 3D NAND Flash memory의 효율적인 연구를 기대할 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we propose the 16-layer 3D NAND Flash memory compact modeling using SPICE. In the same structure and simulation conditions, the channel potential about Down Coupling Phenomenon(DCP) and Natural Local Self Boosting (NLSB) were simulated and analyzed with Technology Computer Aided Desig...

주제어

#3D NAND Flash memory   #Down Coupling Phenomenon(DCP)   #Natural Local Self   #Boosting(NLSB)   #SPICE   #Technology Computer Aided Design(TCAD)  

표/그림 (4)

참고문헌 (8)

  1. Y. Kim, J. G. Yun, S. H. Park, W. Kim, J. Y. Seo, M. Kang, K. C. Ryoo, J. H. Oh, J. H. Lee, H. Shin, and B. G. Park, "Three-dimensional NAND Flash architecture design based on single-crystalline stacked array," IEEE Trans. Electron Devices, vol.59, no.1, pp.35-45, 2012. DOI: 10.1109/TED.2011.2170841 

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  2. Y. Kim, M. Kang, S. H. Park, and B. G. Park, "Three-dimensional NAND Flash memory based on single-crystalline channel stacked array," IEEE Electron Device Letters, vol.34, no.8, pp.990-992, 2013. DOI: 10.1109/LED.2013.2262174 

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  3. M. K. Jeong, S. M. Joe, B. S. Jo, H. J. Kang, J. H. Bae, K. R. Han, E. Choi, G. Cho, S. K. Park, B. G. Park, and J. H. Lee, "Characterization of traps in 3-D stacked NAND Flash memory devices with tube-type poly-Si channel structure," IEEE International Electron Devices Meeting, pp.9.3.1-9.3.4, 2012. DOI: 10.1109/IEDM.2012.6479010 

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  5. M. Park, K. Kim, J. H. Park, and J. H. Choi, "Direct field effect of neighboring cell transistor on cell-to-cell interference of NAND Flash cell arrays," IEEE Electron Device Letters, vol.30, no.2, pp.174-177, 2008. DOI: 10.1109/LED.2008.2009555 

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  6. Y. Kim and M. Kang, "Down-coupling phenomenon of floating channel in 3D NAND Flash memory" IEEE Electron Device Letters, vol.37, no.12, pp. 1566-1569, 2016. DOI: 10.1109/LED.2016.2619903 

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  7. M. Kang and Y. Kim, "Natural local self-boosting effect in 3D NAND Flash memory," IEEE Electron Device Letters, vol.38, pp.1236-1239, 2017. DOI: 10.1109/LED.2017.2736541 

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  8. Silvaco, Inc., "Atlas User's Manual, Silvaco V ersion. 5.19.20.", http://www.silvaco.com/products/tcad/device_simulation/atlas/atlas.html 

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