[논문]실리콘에 Local Anodic Oxidation으로 만든 산화물의 영향

정승우; 변동욱; 신명철; 구상모

doi:10.4313/jkem.2021.34.4.242

[국내논문] 실리콘에 Local Anodic Oxidation으로 만든 산화물의 영향
Influence of Oxide Fabricated by Local Anodic Oxidation in Silicon 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.34 no.4, 2021년, pp.242 - 245

정승우 (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실) , 변동욱 (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실) , 신명철 (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실) , (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실)

Abstract ▼ AI-Helper

In this work, we fabricated oxide on an n-type silicon substrate through local anodic oxidation (LAO) using atomic force microscopy (AFM). The resulting oxide thickness was measured and its correlation with load force, scan speed and applied voltage was analyzed. The surface oxide layer was stripped using a buffered oxide etch. Ohmic contacts were created by applying silver paste on the silicon substrate back face. LAO was performed at approximately 70% humidity. The oxide thickness increased with increasing the load force, the voltage, and reducing the scan speed. We confirmed that LAO/AFM can be used to create both lateral and, to some extent, vertical shapes and patterns, as previously shown in the literature.

Keyword

표/그림 (5)

그림 Fig. 1. Schematic method of local anodic oxidation.
그림 Fig. 2. AFM images and profiles of oxide (a) AFM 3D image of applied voltage, (b) oxide shape, and (c) oxide height and width of voltage by LAO.
그림 Fig. 3. AFM patterns and profiles on sample. (a) Described 3D image, (b) load force and voltage dependent oxide profile, and (c), (d) difference load force and voltage.
그림 Fig. 4. Scan speed dependence of oxide nanopatterns deposited by LAO. (a) AFM 3D schematic, (b) oxide shape by scan speed, and (c) height, width versus scan speed with error bar.
그림 Fig. 5. Example different pattern of formed oxide on silicon by LAO.

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