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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.35 no.3, 2022년, pp.241 - 245
이형진 (광운대학교 전자재료공학과) , 강예환 ((주)예스파워테크닉스) , 정승우 (광운대학교 전자재료공학과) , 이건희 (광운대학교 전자재료공학과) , 변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) , 신명철 (광운대학교 전자재료공학과) , 양창헌 ((주)예스파워테크닉스) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
In this study, we measured and comparatively analyzed the characteristics of MPS (Merged Pin Schottky) diodes in 4H-SiC by changing the areal ratio between the Schottky and PN junction region. Increasing the temperature from 298 K to 473 K resulted in the threshold voltage shifting from 0.8 V to 0.5...
T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (John Wiley & Sons, Singapore, 2014). pp. 1-6.
B. J. Baliga, J. A ppl. Phys., 53, 1759 (1982). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.331646]
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R. Rupp, A. Wiedenhofer, P. Friedrichs, D. Peters, R. Schorner, and D. Stephani, Mater. Sci. Forum, 264, 89 (1998). [DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.89]
J. Seccatore, G. de Tomi, and M. Veiga, Mater. Sci. Forum, 805, 395 (2015). [DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.805.395]
T. Takaku, S. Igarashi, T. Nishimura, Y. Onozawa, S. Miyashita, O. Ikawa, N. Fujishima, and T. Heinzel, Proc. of PCIM Europe 2015; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (VDE, Nuremberg, Germany, 2015) p. 1. [DOI: https://doi.org/10.1109/ICPE.2015.7167880]
S. J. Min, M. C. Shin, N. Thi Nguyen, J. M. Oh, and S. M. Koo, Materials, 13, 445 (2020). [DOI: https://doi.org/10.3390/ma13020445]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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