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[국내논문] 수직온도구배 성장 공법을 적용한 갈륨비소 잉곳 성장 기술 연구
A Study on GaAs Ingot Growth Technique Applied to VGF(Vertical gradient freeze) Growth Method 원문보기

항공우주시스템공학회지 = Journal of aerospace system engineering, v.16 no.5, 2022년, pp.57 - 61  

박영태 ((주)아이오지) ,  박현범 (군산대학교 기계공학부)

초록
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항공기 및 우주 구조물에 갈륨비소 기판은 다양하게 적용된다. 본 연구에서 온도 제어기술을 활용하여 수치해석을 통해 4인치 이상의 대구경 갈륨비소 잉곳의 성장에 관한 기술을 제시하였다. 본 연구를 통해 온도 시뮬레이션 기술을 기반으로 다양한 온도 변화와 주위 환경의 변화에 따른 제작 기술을 확보하였다. 잉곳 기술 개발을 통하여 편차가 작은 특성 결과를 도출하여 향후 적용 가능성을 최대화 하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The various GaAs panel are applied widening for aircraft and aerospace structures. This study presented technology for the growth of large-diameter GaAs ingots greater than 4 inches through numerical analysis using temperature control technology. In this work, proposes manufacturing technology adapt...

주제어

#갈륨비소   #잉곳   #결정   #성장  

표/그림 (5)

참고문헌 (6)

  1. H Weimann, J. amom, Th. Jung G. Muller, "Numerical Simulation of the Growth of 2" Diameter GaAs Crystal by the Vertical Gradient Freeze Technique," Journal of Crystal Growth, Vol. 180, pp. 560-565, 1997. 

  2. B. Birkmann, M. Rasp, J. Stenzenberger, G. MuKller, "Growth of 3" and 4" gallium arsenide crystals by the vertical gradient freeze (VGF) method," Journal of Crystal Growth, Vol. 211, pp. 157-162, 2000. 

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  3. J. Amon, P. Berwian, G. Muller, "Computer-Assisted Growth of Low-EPD GaAs with 3" Diameter by the Vertical Gradient-Freeze Technique," Journal of Crystal Growth, Vol. 198/199, pp. 361-366, 1999. 

  4. Christiane Frank-Rotsch, Natasha Dropka, Frank-Michael Kiessling, and Peter Rudolph, "Semiconductor Crystal Growth under the Influence of Magnetic Fields," Crystal Research and Technology, Vol. 55, pp. 1900115, 2020. 

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  5. Hyunsu Jenung, Kiyoung Lee, "An Investigation of the Characteristics of Electron Diffusion Coefficients in GaAs by Noise Calculation Method," Proceeding of Summer Conference on The Korean Institute of Communications and Information Sciences, pp. 14-18, 1993. 

  6. Youngse Kwon, "A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor," Proceeding of The Korean Institute of Communications and Information Sciences, pp. 17-27, 1987. 

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