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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.32 no.5, 2022년, pp.169 - 174
여임규 (산업소재연구그룹, (재)포항산업과학연구원) , 이재윤 (산업소재연구그룹, (재)포항산업과학연구원) , 전명철 (산업소재연구그룹, (재)포항산업과학연구원)
This study is to verify the feasibility of SiC single crystal growth using recycled SiC powder. The fundamental physical properties such as particle size, shape, composition and impurities of the recycled powder were analyzed, and the sublimation behavior occurring inside the reactor were predicted ...
Yu.M. Tairov and V.F. Tsvetkov, "General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes", J. Crystal Growth 52 (1981) 146.
Yu.M. Tairov and V.F Tsvetkov, "Progress in controlling the growth of polytypic crystals", Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 7 (1983) 111.
I.G. Yeo, T.H. Eun, J.Y. Kim, S.S. Lee, H.S. Seo and M.C. Chun, "Study on dislocation behaviors during PVT growth of 4H-SiC", Mater. Sci. Forum 963 (2019) 64.
E.Y. Tupitsyn, A. Arulchakkaravarthi, R.V. Drachev and T.S. Sudarshan, "Controllable 6H-SiC to 4H-SiC polytype transformation during PVT method", J. Cryst. Growth 299 (2007) 70.
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D.G. Shin, H.R. Son, S. Heo, B.S. Kim, J.E. Han, K.S. Min and D.H. Lee, "Impurity behavior of high purity SiC powder during SiC crystal growth", Mater. Sci. Forum 778 (2014) 22.
J.G. Kim, E.J. Jung, Y. Kim, Y. Makarov and D.J. Choi, "Quality improvement of single crystal 4H SiC grown with a purified β-SiC powder source", Ceram. Int. 40 (2014) 3953.
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