[논문]반도체 배기 공정에서 복합 처리 방식으로 인한 폭발 사고 예방대책에 관한 연구

최세욱; 이대준; 김상령; 김상길; 정정희; 양원백

doi:10.7842/kigas.2022.26.5.28

반도체 배기 공정에서 복합 처리 방식으로 인한 폭발 사고 예방대책에 관한 연구
A Study on Prevention of Explosion Accidents by Complex Treatment Methods in Semiconductor Exhaust Process 원문보기

한국가스학회지 = Journal of the Korean institute of gas, v.26 no.5, 2022년, pp.28 - 34

최세욱 (호서대학교 안전행정공학과) , 이대준 (한국산업안전보건공단) , 김상령 (한국산업안전보건공단) , 김상길 (한국산업안전보건공단) , 정정희 (SK하이닉스) , 양원백 (숭실사이버대학교 산업안전공학과)

초록
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반도체 공장은 인구가 밀집된 지역에 위치하여 제조 공정에서 취급되는 위험물질의 안전한 처리가 무엇보다 중요하다. 특히나 반도체 제조 공정에서 취급 후 배출되는 위험물의 종류는 매우 다양하며 물질별로 연소, 흡수, 흡착 방식 등 처리 방법도 매우 복잡하다. 따라서 최근 반도체 배기 처리 공정에서는 하나의 처리 설비에 두 개 이상의 처리 방식을 적용하고 있는데, 이러한 복합 처리방식 적용으로 예상치 못한 사고가 발생하고 있다. 본 연구에서는 최근의 사고 사례인 Scrubber 방식과 전기 집진방식을 함께 적용한 처리 설비의 사고 원인을 파악하고 예방대책을 제시하여 복합 처리방식 적용 시 유의해야 할 점을 알아보고자 한다.

Abstract ▼ AI-Helper

Since semiconductor factories are located in densely populated areas, safe handling of hazardous materials handled in the manufacturing process is of utmost importance. In particular, the types of hazardous substances discharged after handling in the semiconductor manufacturing process are very diverse, and the treatment methods such as combustion, absorption and adsorption methods for each material are very complicated. Therefore, in recent semiconductor exhaust treatment processes, two or more treatment methods are applied to one treatment facility, and unexpected accidents occur due to the application of such a complex treatment method. In this study, the cause of accidents in treatment facilities that applied both the scrubber method and the electrostatic precipitation method, which are recent accident cases, are identified, and preventive measures are suggested to find out the points to be noted when applying the complex treatment method.

주제어

표/그림 (16)

그림 Fig. 1. Chemical supply system for semiconductor.
그림 Fig. 2. Accident occurrence process.
그림 Fig. 3. Mid. Scrubber structure and form.
그림 Fig. 4. FRP dust at the top of electrostatic precipitator.
표 Table 1. Accident Case
그림 Fig. 5. Measured MIE as a function of oxygen concentration at 1 atm.
그림 Fig. 6. Laboratory equipment.
표 Table 2. Experimental condition
표 Table 3. Measurement result of FRP body
표 Table 4. Measurement result of electrode and dust collector
그림 Fig. 7. Experiment photo.
그림 Fig. 8. Experimental results according to oxygen concentration
표 Table 5. Experimental condition
표 Table 6. Experimental result
표 Table 7. Results of cleaning the inside of the electrostatic precipitator (bottom area)
표 Table 8. Results of cleaning the inside of the electrostatic precipitator(all area)

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