[논문]Solution processed hafnium oxide as a gate insulator for low-voltage oxide thin-film transistors

Avis, Christophe; Kim, Youn Goo; Jang, Jin

doi:10.1039/c2jm33054g

Solution processed hafnium oxide as a gate insulator for low-voltage oxide thin-film transistors

Journal of materials chemistry, v.22 no.34, 2012년, pp.17415 - 17420

Avis, Christophe (Hoegi-Dong) , Kim, Youn Goo (Hoegi-Dong) , Jang, Jin (Hoegi-Dong)

Abstract ▼ AI-Helper

We report a solution processed high-k hafnium oxide (HfOx) dielectric used for a solution processed zinc-tin-oxide (ZTO) thin-film transistor (TFT) at the maximum process temperature of 300 °C. The HfOx is close to stoichiometric composition (35% hafnium and 65% oxygen), has no impurity related to the solvent or precursor used, and exhibits an amorphous structure. The HfOx is smooth enough, with a rms roughness of 0.33 nm, to be used as a gate insulator for TFT. The ZTO TFT with HfOx exhibits a threshold voltage of 1.18 V, a gate voltage swing of 105 mV per decade, and a field-effect mobility in the saturation region of 1.05 cm2 V−1 s−1. The resulting TFT properties are impacted by the formation of nanopores at the HfOx/ZTO interface and nanocrystals at the HfOx/IZO (source/drain) interface.Graphic AbstractWe report a solution processed high-k hafnium oxide (HfOx) dielectric used for a solution processed zinc-tin-oxide thin-film transistor at the maximum process temperature of 300 °C.

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