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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.13 no.11, 2013년, pp.7774 - 7778
Hwang, Soo Min , Lee, Seung Muk , Choi, Jun Hyuk , Lim, Jun Hyung , Joo, Jinho
We fabricated InSnZnO (ITZO) thin-film transistors (TFTs) with a high-permittivity (K) ZrO2 gate insulator using a solution process and explored the microstructure and electrical properties. ZrO2 and ITZO (In:Sn:Zn = 2:1:1) precursor solutions were deposited using consecutive spin-coating and drying...
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