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NTIS 바로가기Journal of alloys and compounds, v.563, 2013년, pp.108 - 112
Yun, H.J. , Jang, M. , Choi, S.J. , Lee, Y.B. , Ahn, K.S. , Choi, C.J.
25-nm-gate-length Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SB-MOSFETs) with platinum silicide (PtSi) was fabricated using silicidation through oxide technique coupled with two-step annealing process. The manufactured SB-MOSFET showed a large on/off current ratio (>107) wi...
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