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[해외논문] System-Level Variation Analysis for Interconnection Networks at Sub-10-nm Technology Nodes Using Multiple Patterning Techniques

IEEE transactions on electron devices, v.62 no.7, 2015년, pp.2071 - 2077  

Chenyun Pan ,  Baert, Rogier ,  Ciofi, Ivan ,  Tokei, Zsolt ,  Naeemi, Azad

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper analyzes the impact of the interconnect variation at the system level in terms of clock frequency based on a fast and efficient system-level variation-aware design methodology. Various types of interconnect variations are compared, such as the critical dimension for line/core and spacer, ...

주제어

참고문헌 (17)

  1. RAPHAEL Interconnect Analysis Program 1996 

  2. 10.1109/ISQED.2014.6783312 

  3. 10.1109/IITC.2014.6831893 

  4. Pan, Chenyun, Naeemi, Azad. A Fast System-Level Design Methodology for Heterogeneous Multi-Core Processors Using Emerging Technologies. IEEE journal on emerging and selected topics in circuits and systems, vol.5, no.1, 75-87.

  5. Chenyun Pan, Naeemi, Azad. A Proposal for a Novel Hybrid Interconnect Technology for the End of Roadmap. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.35, no.2, 250-252.

  6. Predictive Technology Model (PTM) 2012 

  7. Proc 49th ACM/EDAC/IEEE Design Autom Conf (DAC) Exploring sub-20 nm FinFET design with predictive technology models sinha 2012 10.1145/2228360.2228414 283 

  8. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2012 

  9. Proc SPIE Design Manufacturability Design-Process Integr IV Decomposition strategies for self-aligned double patterning ma 2010 7641 76410t-1 

  10. Demuynck, Steven, Huffman, Craig, Claes, Martine, Suhard, Samuel, Versluijs, Janko, Volders, Henny, Heylen, Nancy, Kellens, Kristof, Croes, Kristof, Struyf, Herbert, Vereecke, Guy, Verdonck, Patrick, Roest, David De, Beynet, Julien, Sprey, Hessel, Beyer, Gerald P.. Integration and Dielectric Reliability of 30 nm Half Pitch Structures in Aurora® LK HM. Japanese journal of applied physics, vol.49, no.4, 04DB05-.

  11. Proc SPIE Optical Microlithography XXI Sidewall spacer quadruple patterning for 15 nm half-pitch xu 2011 7973 79731q-1 

  12. Proc IEEE Int Interconnect Technol Conf (IITC) 48 nm pitch cu dual-damascene interconnects using self aligned double patterning scheme chen 2013 1 

  13. 10.1109/DAC.2000.855298 

  14. 10.1109/IITC.2012.6251665 

  15. Proc IEEE Int Interconnect Technol Conf (IITC) Impact of advanced patterning options, 193 nm and EUV, on local interconnect performance stucchi 2012 1 

  16. 10.1145/1117278.1117284 

  17. Chern, J.-H., Huang, J., Arledge, L., Li, P.-C., Yang, P.. Multilevel metal capacitance models for CAD design synthesis systems. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.13, no.1, 32-34.

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