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[해외논문] Power reduction for recovery of a FinFET by electrothermal annealing

Solid-state electronics, v.151, 2019년, pp.6 - 10  

Han, Joon-Kyu (Corresponding author.) ,  Park, Jun-Young ,  Choi, Yang-Kyu

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Abstract A strategy of reducing the power consumption to cure gate dielectric damage by electrothermal annealing (ETA) is proposed. A tri-gate FinFET was fabricated to demonstrate the damage curing by the ETA. Localized Joule heat induced by high current flowing through dual gate electrodes success...

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참고문헌 (19)

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  3. IEEE Trans Electron Devices Onishi 50 384 2003 10.1109/TED.2002.807447 Improvement of surface carrier mobility of HfO2/MOSFETs by high-temperature forming gas annealing 

  4. Appl Phys Lett Lyding 68 2526 1996 10.1063/1.116172 Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing 

  5. Tech Dig - Int Electron Devices Meet IEDM Lue 199 2012 Radically extending the cycling endurance of Flash memory (to > 100M Cycles) by using built-in thermal annealing to self-heal the stress-induced damage 

  6. Tech Dig - Int Electron Devices Meet IEDM Moon 794 2016 Sustainable electronics for nano-spacecraft in deep space missions 

  7. Comsol multiphysics user's guide, Comsol Inc., Burlington, MA, USA; 2011. 

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  16. ACS Nano Choi 6 2378 2012 10.1021/nn2046295 Physical observation of a thermo-morphic transition in a silicon nanowire 

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  19. IEEE Electron Device Lett Park 37 843 2016 10.1109/LED.2016.2574341 Local electro-thermal annealing for repair of total ionizing dose-induced damage in gate-all-around MOSFETs 

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