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NTIS 바로가기대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II, 2003 July 01, 2003년, pp.1057 - 1060
박진우 (서강 대학교 전자공학과) , 임동주 (서경 대학교 전자공학과) , 구용서 (서경 대학교 전자공학과) , 노태문 (한국전자 통신 연구소) , 안철 (서강 대학교 전자공학과)
This paper is about the optimized fabricated parameter in the EDMOSFET(Extended drain MOSFET) with a various temperature. As we know, the two important factors of EDMOSFET parameters are breakdown voltage and on Resistance. So, we have aims of the power EDMOSFET design to have high breakdown voltage...
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