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InP HEMT의 2DEG계산
2DEG Calculation in InP HEMT 원문보기

한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1, 2003 July 10, 2003년, pp.316 - 318  

황광철 (건국대학교 전기공학과) ,  안형근 (건국대학교 전기공학과) ,  한득영 (건국대학교 전기공학과)

초록
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양자우물 구조를 사용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 고속 스위칭 소자와 초고주파 통신용 소자 및 센서에에 우수한 동작특성을 갖고 있다. 본 논문에서는 AlInAs/InP HEMT의 heterostructure를 파동방정식과 Poisson 방정식을 self-consistent 한 방법으로 해석하였다. 파동방정식으로 junction의 전자농도를 계산하고, Poisson 방정식을 해석하여 potential profile에 의한 전자 농도가 heterostructure에서 self-consistent가 되도록 연산하였다. 끝으로 AlInAs/InP 구조에서 positively ionized donor, valance band에서의 hole, conduction band의 free electron과 구조내의 2DEG를 AlGaAs/GaAs 및 AlGaAs/InGaAs/GaAs와 비교하였다.

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  • 이종 접합 계면에 평행한 파동함수는 평면파라 가정하고, 계면에 수직인 방향(z)에 대한 시간에 대해 독립인 파동방정식은 아래와 같다.
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