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논문 상세정보
트랜치 기법을 이용한 SOI MOSFET의 전기적인 특성에 관한 연구
A New Structure of SOI MOSFETs Using Trench Mrthod
한국컴퓨터산업교육학회 2003년도 제4회 종합학술대회 논문집
2003 Nov. 01
, 2003년, pp.67 - 70
Abstract
In this paper, propose a new structure of MOFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) which is widely application for semiconductor technologies. Eleminate the latch-up effect caused by closed devices when conpose a electronic circuit using proposed devices. In this device have a completely isolation structure, and advantage of leakage current elimination. Each independent devices are isolated by trench-well and oxide layer of SOI substrate. Using trench gate and self aligned techniques reduces parasitic capacitance between gate and source, drain. In this paper, we proposed the new structure of SOI MOSFET which has completely isolation and contains trench gate electrodes and SOI wafers. It is simulated by MEDICI that is device simulator.
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