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CuPc FET의 기판온도에 따른 제작 및 전기적 특성 연구
Fabrication and Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature 원문보기

한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회, 2007 June 01, 2007년, pp.548 - 551  

이호식 (동신대학교) ,  양승호 (동신대학교) ,  박용필 (동신대학교)

초록
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최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 기본으로 하여 소자를 제작하고, 또한 기판의 온도를 달리 하여 제작하였다. CuPc FET 소자는 top-contact 방식으로 제작하였으며, 기판의 온도는 상온과 $150^{\circ}C$로 달리 하였다. 또한 CuPc의 두께는 40nm로 하였고, 채널의 길이는 $50{\mu}m$, 폭은 3mm로 하였다. 제작된 소자를 이용하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different substrate temperature. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was ...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 CuPc 를 활성층으로 사용한 FET 소자를 제작하였고, 기판 온도 변화에 따른 CuPc FET 소자를 제작하여 전기적 특성을 측정하였다. a.
  • 본 연구에서는 copper phthalocyanine (CuPc) 물질을 이용하여 FET 소자를 제작하고 이에 대한 전기적 특성을 알아보고자 한다. 또한 기판의온도를 상온에서와 150°C로 달리하여 소자를 제작하고, 이에 대한 전기적 특성을 알아보았다.
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