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ZnO nanowire를 이용한 FET소자의 전기적 특성
Electrical properties of FET device using ZnO nanowire 원문보기

한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집 Vol.10, 2009 June 18, 2009년, pp.432 - 432  

오원석 (충북대학교 신소재공학과) ,  장건익 (충북대학교 신소재공학과) ,  이인성 (충북대학교 정보통신공학) ,  김경원 (한국과학기술연구원 에너지재료연구단) ,  이상열 (한국과학기술연구원 에너지재료연구단)

초록
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본 연구에서는 HW-PLD(Hot-walled Pulsed Laser Deposition) 법을 이용하여 ZnO 나노와이어를 $Al_2O_3$ 기판 위에 성장하였다. 성장된 ZnO 나노와이어는 SEM, XRD, PL 분석을 통하여 구조적 특성을 확인하였으며, 성장된 나노와이어를 photolithography 공정을 통하여 FET(Field Effect Transistor)소자를 제작하였다. 제작된 소자의 I-V 특성 측정 결과 Ti/Au 전극과 ZnO nanowire 채널 간에 ohmic 접합이 형성된 것을 확인하였으며 게이트 전압의 증가에 따라 소스와 드레인 사이의 전류가 증가하는 전형적인 n-type FET소자 특성을 나타내었다.

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