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문제 정의
- 본 연구에서는 CuPc를 활성층으로 사용한 FET 소자를 제작하였고, 기판 온도 변화에 따른 CuPc FET 소자를 제작하여 전기적 특성을 특정하였다. 그 결과 상온에서 보다도 150℃의 기판을 사용한 FE1"소자에서 포화 영역을 확실하게 확인할 수 있었으며, C-V 특성 측정에서도 캐태시터 값이 저주파 영역에서 다소 많은 양의 변화를 확인할 수 있었다.
- 본 연구에서는 copper phthalocyanine (CuPc) 물질을 이용하여 FET 소자를 제작하고 이에 대한 전기적 특성믈 알아보고자 한다. 또한 기판의 온도를 상온에서와 150P 로 달리하여 소자를 제작하고, 이에 대한 전기적 특성을 알아보았다.
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