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ITO 박막의 제작 조건에 따른 OLED의 I-V 특성
I-V properties of OLED with deposition conditions of ITO thin films 원문보기

한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6, 2005 July 07, 2005년, pp.434 - 435  

금민종 (경원대학교) ,  김현웅 (경원대학교) ,  조범진 (경원대학교) ,  김한기 (삼성 SDI) ,  김경환 (경원대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this work, the ITO thin films were prepared by FTS (Facing Targets Sputtering) system under different sputtering conditions which were varying $O_2$ gas flow, input current and working gas pressure. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared I...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 게다가 기존의 스퍼터법과는 달리, FTS은 타겟이 플라즈마와 이격되어 있다는 장점이 누설전류의 양을 줄이는테 더욱 유리할 수 있을 것으로 생각된다. 따라서 본 연구에서 사용된 대향 타겟식 스퍼터링 장치는 OLED 소자의 대형화 및 대량 생산을 위한 ITO 투명 전극 제작 방법으로서 적합하리라 사료된다.
  • 일반적인 sputtering 방법의 경우 기판과 타겟이 서로 마주 보고 있어 고에너지 입자들의 기판 입사로 인한 박막의 결함이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 두 개의 타겟이 서로 먀주 보고 있으며 타겟 간 중앙에서 수직한 위치에 있어 고에너지 입자에 의한 기판 손상을 최소화 할 수 있는 FTS[4-6] 장치를 사용하여 증착 조건을 변화시켜가며 ITO 박막을 증착하였으며, 이때의 OLED 소자의 LV 특성믈 살펴보았다.
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