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NiO 완충층의 두께변화에 따른 OLED 발광특성
EL properties of OLED devices using different NiO buffer thicknesses 원문보기

한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.180 - 180  

정태정 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ,  최규채 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ,  정국채 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ,  김영국 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ,  조영상 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ,  최철진 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹)

초록
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본 연구에서는 P-Type의 NiO를 Glass기판의 ITO전극위에 RF-스퍼터링 방법으로 증착하였으며, NiO 완충층의 두께 변화에 따른 OLED (Organic Light Emitting Diode) 소자의 발광 특성에 대해 연구하였다[1, 2]. NiO는 우수한 전기 광학적 특성을 가지고 있어 OLED소자의 구동전압, 발광 효율 등의 특성을 향상 시킬 수 있다[3]. NiO 완충층의 두께 변화는 스퍼터링 증착시간을 통해 5-20 nm로 조절하였으며 소자의 구조는 Glass/ITO/NiO(0~20nm)/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)형태로 제작하였다. ITO/NPB 계면에 NiO 완충층을 삽입함으로써 OLED 발광소자의 구동전압을 ~8V에서 ~5V (NiO, 10nm)로 낮출 수 있었다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 그러나 유기물질 자체의 낮은 전도도 및 정공 수송능력 때문에 높은 발광휘도餐 얻기 위해서는 높은 구동전압이 필요로 하였다. 몬 연구에서는 유기 발광 소자의 Turn on voltage를 낮추어 소자의 성능을 향상 시킬 수 있는 방법을 연구 하였으며, 또한 대기 중 산소나 수분에 취약한 유기물질 대신 무기물질인 금속산화물 NiO릅 사용함으로써 발광소자의 안정성음 확보하고자 하였다.
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