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제안 방법
- ITO가 패턴된 글라스 위에 PLD 법을 이용하여 TPD를 40nm 증착하였다. TPD 증착두께는 나노스팩 및 AFM을 이용하여 측정하였으며 증착 면적은 1“로서 유효 발광 픽셀의 크기는 3x4 mm이었다.
- ITO의 pattern을 위해서 Positive PR을 이용하여 photo lithography 공정을 하여 크기 1 mm의 pattern을 1 min의 간격으로 제작 하였다. 이렇게 제작된 ITO pattern고} 교차 되도록 separator를 negative PR을 이용하여 제작 하였다.
- KEITHLEY사의 236 Source Measure Unit을 이용하여 I-V 특성을 HAMAMATSU사의 Si-Pin photodiode를 이용하여 Luminance-Voltage 특성을 측정하였다. Si*in photodiode의 보정을 위하여 Mino比a사■의 LS-100 luminance meter를 사용하였다.
- OLED 패널은 방광방향에 따라서 top emission 방식과 bottom emission 방식으로 구분할 수 있는데 본 연구에서는 bottom emission 빙.식으로 제작하였다.
- 층으로 나눌 수 있다. 본 연구에서 제작한 OLED 패널의 경우 ETL 층과 EML 층을 Alq::를이용하여 제작하여 ETL과 EML이 동일한 층이 되도록 하였다.
- ITO의 pattern을 위해서 Positive PR을 이용하여 photo lithography 공정을 하여 크기 1 mm의 pattern을 1 min의 간격으로 제작 하였다. 이렇게 제작된 ITO pattern고} 교차 되도록 separator를 negative PR을 이용하여 제작 하였다.
- 5 V 였고, 측정된 luminance는 90 cd/m2 이었다. 초기패널의 구동 전 패널내의 tr叩을 채우기기 위하여 SCLCCSpace Charge Limited Current) 과정을 거쳤다[3L SCLC 과정의 반복을 통하여 패널의 구동 중 채워지지 못하는 trap이 없도록 방지를 하였다. 그림 9는 발광된 패널을 보여주고 있다.
대상 데이터
- PLD 법에 의해 OLED 패널을 제작하였匸k TPD 가 HTL층으로 이용되었고 Alq3층은 EML/ETL층으로 사용되었다. 유기 팰럿을 제작하여 PLD 타겟으로 사용하였匸k TPD의 흡수계수는 362nm이었고 Alq3 에 대한 흡수계수는 399nm 이었다.
- Si*in photodiode의 보정을 위하여 Mino比a사■의 LS-100 luminance meter를 사용하였다. 측정된 결과 OLED 패널의 구동 전압은 7.
- 40nm 증착하였다. TPD 증착두께는 나노스팩 및 AFM을 이용하여 측정하였으며 증착 면적은 1“로서 유효 발광 픽셀의 크기는 3x4 mm이었다. 표 1은 TPD 증착을 위한 조건을 보여주고 있다.
- 본 연구에서 사용된 ITO의 특성은 30 Q/□의 저항, 170 nm의 두께, 450 nm - 650 剛에서 약 80% 의 투과율을 갖는 것을 선택하였다[3〕. ITO의 pattern을 위해서 Positive PR을 이용하여 photo lithography 공정을 하여 크기 1 mm의 pattern을 1 min의 간격으로 제작 하였다.
- 사용되었다. 유기 팰럿을 제작하여 PLD 타겟으로 사용하였匸k TPD의 흡수계수는 362nm이었고 Alq3 에 대한 흡수계수는 399nm 이었다. 제작돤 OLED 패널의 turn-on 전압은 75 V이었고 luminance는 90cd/nV이었다.
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