[논문]dual frequency ICP 에서의 frequency 조합과 capacitance 변화에 따른 <tex> $SiO_2$</tex> 및 poly-Si 식각특성

김진호; 김희대; 이내응; 허승회; 장기명; 남창길; 손종원

dual frequency ICP 에서의 frequency 조합과 capacitance 변화에 따른 $SiO_2$ 및 poly-Si 식각특성 원문보기

김진호 (성균관대학교, 신소재공학과) , 김희대 (성균관대학교, 신소재공학과) , 이내응 (성균관대학교, 신소재공학과) , 허승회 (주성 엔지니어링) , 장기명 (주성 엔지니어링) , 남창길 (주성 엔지니어링) , 손종원 (주성 엔지니어링)

2개의 주파수가 인가된 유도결합 플라즈마(ICP)를 이용하여 주파수 조합(13.56 or 27.12/2MHz)과 안테나의 캐패시턴스 변화에 따른 $SiO_2$ 와 poly-Si 의 식각특성을 연구하였다. 본 실험의 결과로, 27.12 MHz에서 plasma density가 높다는 것과 13.56 MHz에서 center high profile이 쉽게 형성됨을 알 수 있었다. $SiO_2$ 식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 27.12 MHz가 13.56 MHz보다 높다는 것을 알 수 있었고, poly-Si 식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 비슷한 경향을 나타낸다는 것을 알 수 있었다.

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

본 연구에서는 이러한 두 개의 주파수를 이용한 RF 공정에서 top power frequency와 안테나의 캐패시턴스 변화를 통한 SiO그 및 polypi의 식각특성을 알아보았다.

제안 방법

또한, 그림2에 나타나 있는 것처럼 병렬 안테나를 사용 하였고 바깥쪽 코일에 가변 캐패시터를 장착하여 안쪽과 바깥쪽 코일의 current ratio를 조절 하였다.
우선, source power frequency 에 따른 current 와 ion density를 연구 하였다. 그림3은 Ar 가스에서 공정압력은 30mTorrz source power은 lkW로 고정시킨 채 (a)13.

대상 데이터

증착되었다. 본 실험에서는 SiO₂ 식각공정에는 CF4 가스를 사용하였고, polypi 식각공정에는 Cl2/Ar 혼합가스를 사용하였다.

이론/모형

poly-Si/SiO₂/Si 과 SiO₂/Si 적층을 가지는 실리콘 웨이퍼를 사용하였고 poly-Sie diffusion 방법을 이용하여 증착되었고 Si6층은 HDP-CVD를 이용하여 증착되었다. 본 실험에서는 SiO₂ 식각공정에는 CF4 가스를 사용하였고, polypi 식각공정에는 Cl2/Ar 혼합가스를 사용하였다.
식각 중 current오+ Ion density 측정은 double Lengmuir probe (DLP)를 사용하였고, 식각 후 두께 측정은 광학적표면두께 측정기(ellipsometer)를 사용하였다.

성능/효과

12 MHz의 가변 캐패시터 용량과 300mm wafer의 반경에 따른 ion density를 나타내었다. 13.56 MHz에 비해서 27.12 MHz가 플라즈마 밀도가 높았으며, 13.56 MHz의 안쪽 코일의 current가 작음에도 불구하고 center max profile이 형성되는 것을 알 수 있었다. 이것은, 안테나에 의한 local plasma generation0] 27.
27.12 MHz에서 plasma density가 높다는 것과 13.56 MHz에서 center high profile이 쉽게 형성됨을 알 수 있었다.
SiO2 식각에서 non-uniformity 측면은 추가 실험이 필요하나, etch rate 측면에서는 27.12 MHz가 보다 효율적임을 알 수 있었고, poly-Si 식각에서 etch rate 측면에서는 비슷한 경향이나, non-uniformity 측면에서는 27.12 MHz가 보다 효율적임을 알 수 있었다.
bias power가 증가할수록 ion bombarding의 증가로 etch Tate 이 증가하는 것을 알 수 있었고, 27.12MHz source power frequency를 사용하는 것이 etching에 유리하다는 것을 알 수 있었다.
두 가지 주파수 모두 안쪽과 바깥쪽 코일의 전류의 합은 비교적 일정했고 가변 캐패시터 용량을 늘릴수록 안쪽 코일의 current가 증가하고 바깥쪽 코일의 current는 감소하였다.

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

dual frequency ICP 에서의 frequency 조합과 capacitance 변화에 따른 $SiO_2$ 및 poly-Si 식각특성 원문보기

초록
AI-Helper

AI 본문요약
AI-Helper

문제 정의

제안 방법

대상 데이터

이론/모형

성능/효과

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 보기

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

dual frequency ICP 에서의 frequency 조합과 capacitance 변화에 따른 $SiO_2$ 및 poly-Si 식각특성 원문보기

초록 용어보기논문에서 용어와 풀이말을 자동 추출한 결과로, 시범 서비스 중입니다. AI-Helper

AI 본문요약 엑셀 다운로드 AI-Helper

문제 정의

제안 방법

대상 데이터

이론/모형

성능/효과

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 보기

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

초록
AI-Helper

AI 본문요약
AI-Helper