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평판형 히트파이프식 핫척의 표면온도 균일화 향상을 위한 연구
Study on Improvement of Surface Temperature Uniformily in Flate-Plate Heat Pipe Hot Chuck 원문보기

대한기계학회 2008년도 추계학술대회B, 2008 Nov. 05, 2008년, pp.2369 - 2374  

김대현 (충북대학교 기계공학부) ,  이석호 (충북대학교 기계공학부) ,  임택규 (충북대학교 기계공학부) ,  이충구 (충북대학교 기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In the precision hot plate for wafer processing, the temperature uniformity of upper plate surface is one of the key factors affecting the quality of wafers. Precision hot plates require temperature variations less than ${\pm}1.5%$ during heating to $120^{\circ}C$. In this stud...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 실험에 앞서 평판형 히트파이프식 핫척의 구조 설계 및 성능 해석을 통하여 제작될 평판형 히트파이프 최적상태 및 안전성을 예측하고자 하여싿.
  • 본 연구에서는 웨이퍼 가열 평판형 히트파이프식 핫척에서 표면의 보다 우수한 열 응답성과 표면 온도 균일도 향상을 위해서 웨이퍼 가열 핫척과 같은 규격의 원형 평판형 히트파이프식 핫척의 최적 설계, 제작 및 시험을 수행하여 기존의 가열시스템의 대안이 될 수 있는 가능성을 이끌어내고 나아가 평한형 피트파이프식 핫척의 작동에 있어서 최적의 작동유체와 환경조건 등을 찾아내고자 한다.
  • 반도체 웨이퍼를 가공하는데 사용되는 기존의 핫척에 평판형 히트 파이프의 특성을 적용하여 연구·개발 하고자 하는 것이 평판형 히트파이프식 핫척이다. 이는 기존의 반도체 웨이퍼 공정에서 사용되는 핫척을 대한하기 위하여 위에서 언급한 히트파이프의 특성을 적용하여 보다 효율적인 장치의 개발 가능성을 이끌어 내고자 한다. 현재 반도체 웨이퍼 가공에 사용되는 핫 플레이트의 가장 중요한 점은 표면온도의 균일화와 목표온도 제어기술이다.
  • 이와 같은 공정에 있어서 온도의 불균일성은 웨이퍼의 기계적 특성에 나쁜 영향을 줄 수 있고, 반도체 가공의 정밀도가 높아짐에 따라 챔버 내 온도의 균일도의 중요성이 더욱 높아지게 되었다. 이에 챔버 내 유동에 의한 온도 균일도를 개선하고자 하였다.(2)
  • 작동유체 물의 유량별 실험 결과 중 △Tp-p에 대해서 정리해 보았다. Fig.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체 웨이퍼는 어떤 공정을 통해 제조되는가? 반도체 웨이퍼는 이온주입공겅, 막 중착 공정, 확산공장, 사진공정, 식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조 된다. 이러한 공정들 가운데 사진공정은 다시 크게 도포공정, 노광공정, 현상공정, HMDS(hexamethy disilane)처리공정 그리고 베이크 공정 등으로 구성된다.
사진공정 중 베이크 공정에서 쓰이는 장치는 무엇인가? 이러한 공정들 가운데 사진공정은 다시 크게 도포공정, 노광공정, 현상공정, HMDS(hexamethy disilane)처리공정 그리고 베이크 공정 등으로 구성된다. 베이크 공정에서는 챔버내의 핫척 상에 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 장착하여 일정 온도로 포토레지스트를 베이크하는 챔버식 베이크 장치를 사용하게 된다, 이와 같은 베이크 장치에 있어서 안에 위치되는 웨이퍼의 온도균일성은 가공하고자 하는 웨이퍼의 여러가지 특성에 많은 영향을 미치게 된다.(1) 즉, 웨이퍼를 챔버 내에 위치시키고 난 후 웨이퍼를 얼마나 빠른 시간 내에, 요구되는 온도로 얼마나 균일하게 유지하는가는 반도체 소자의 수율에 직접적인 영향을 미칠 수 있다.
반도체 웨이퍼 제조 공정 중 사진공정은 어떻게 구성되어있는가? 반도체 웨이퍼는 이온주입공겅, 막 중착 공정, 확산공장, 사진공정, 식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조 된다. 이러한 공정들 가운데 사진공정은 다시 크게 도포공정, 노광공정, 현상공정, HMDS(hexamethy disilane)처리공정 그리고 베이크 공정 등으로 구성된다. 베이크 공정에서는 챔버내의 핫척 상에 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 장착하여 일정 온도로 포토레지스트를 베이크하는 챔버식 베이크 장치를 사용하게 된다, 이와 같은 베이크 장치에 있어서 안에 위치되는 웨이퍼의 온도균일성은 가공하고자 하는 웨이퍼의 여러가지 특성에 많은 영향을 미치게 된다.
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