최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.117 - 118
Chang, Hyo-Sik (Thin Film and Single Crystal Team, KoreaInstitute of Ceramic Engineering and Technolog) , Cho, Kyoon (Thin Film and Single Crystal Team, KoreaInstitute of Ceramic Engineering and Technolog) , Suh, Jai-Bum (Hynix Semiconductor Co. Lt.) , Hong, Sung-Joo (Hynix Semiconductor Co. Lt.) , Jang, Man (Gwang-ju Institute Science and Technology) , Hwang, Hyun-Sang (Gwang-ju Institute Science and Technology)
High-pressure deuterium annealing process is proposed and investigated for enhanced electrical and reliability properties of 512Mb DDR2 DRAM without increase in process complexity. High pressure deuterium annealing (HPDA) introduced during post metal anneal (PMA) improves not only DRAM performance b...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.