선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
제안 방법
- 화시켰다. 3C-SiC 증학을 위해 HMDS(1.25 sccm)와 운반가스로 Ar(5 slm)과 H2 (1 slm) 주입하고 1350℃에서 1시간동안 SiC를 성장시켰다.
- 본 연구에서는 HMDS를 사용하여 탄화시킨 Si기판위에 단결정 3C-SiC 박막을 APCVD법으로 이종성장시켰다. XRD 분석을 통하여, 단결정 3C-SiC 임을 확인했고, SEM, 그리고 surface profiler을 통해 결함과 잔류응력이 거의 존재하지 않는 3C-SiC 박막이 성장되었음읇 확인하였다. 따라서, Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC 박막은 고전압, 고출력, 고주파 응용뿐야에 적합한 차세대 전력용재료로서 유요하게 적용될 것으로 전망된다.
- 본 연구에서 단일 전구체얀 HMDS를 이용하여 APCVD법으로 Si(100)기판 위에 3C-SiC롫 성장하였다 반응관의 초기화를 위해 Ar purging을 10회 수행 후, 버퍼층을 형성하기 위해 Ar(6 slm) 과 C3H8(5 sccm, 5% in H2) 흘려주고 1060℃온도에서 8분간 탄화시켰다. 3C-SiC 증학을 위해 HMDS(1.
이론/모형
- 본 연구에서는 HMDS를 사용하여 탄화시킨 Si기판위에 단결정 3C-SiC 박막을 APCVD법으로 이종성장시켰다. XRD 분석을 통하여, 단결정 3C-SiC 임을 확인했고, SEM, 그리고 surface profiler을 통해 결함과 잔류응력이 거의 존재하지 않는 3C-SiC 박막이 성장되었음읇 확인하였다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.