최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.350 - 350
안정준 (광운대학교) , 방욱 (한국전기연구원) , 김상철 (한국전기연구원) , 김남균 (한국전기연구원) , 구상모 (광운대학교)
Silicon carbide (SiC), one of the well known wide band gap semiconductors, shows high thermal conductivities, chemical inertness and breakdown energies. The design of normally-off 4H-SiC VJFETs [1] has been reported and 4H-SiC VJFETs with different lateral JFET channel opening dimensions have been s...
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.