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콜로이드 실리카 실란을 함유한 졸겔반응 코팅제 특성연구
Properties of Sol-Gel Materials Containing Colloidal Silica Silane 원문보기

한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집, 2005 May 27, 2005년, pp.33 - 36  

강동필 (한국전기연구원) ,  안명상 (한국전기연구원) ,  나문경 (한국전기연구원) ,  명인혜 (한국전기연구원) ,  강영택 (한국전기연구원)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Colloidal Silica(CS)/silane sol solutions were prepared in variation with synthesizing parameters such as ratio of CS to silane and reaction time. In the case of LHSA CS/tetramethoxysilane(TMOS)/methyltrimethoxysilane(MTMS) CS/silane sol, coating film had stable contact angle with increasing reactio...

AI 본문요약
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제안 방법

  • CS(LHSA) 100에 대하여 AA를 첨가하여 pH 4로 조절한 후, TMOS/MTMS의 함량비를 50/50, 25/75, 0/100, 0/125로 다르게 첨가하여 졸을 합성하였다. 반웅용매로서는 IPA 40을 첨가하였고 2 5℃ 조건에서 30Orpm으로 6, 12, 24, 48시간 동안 반응시켜 졸을 제조하였다.
  • CS와 실란간의 졸겔반응조건이 코팅막의 득성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 LHSA CS/TMOS/MTMS의 함량비, 반응시간을 달리하여 졸을 합성하고, 합성된 졸을 slide glass에 코팅한 후 300℃에서 경화시킨 도막의 득성들을 조사하였다.
  • Dynamic contact angle meter(Surface and Electro-Optics사)를 사용하여 접촉각을 측정하였다. 적가한 물의 량은 10必이었으며 적가 10초 후에 접촉각을 측정하였다.
  • 측정하였다. TGA의 측정값으로부터 코팅 물질의 분해온도를 비교하였다.
  • 반웅용매로서는 IPA 40을 첨가하였고 2 5℃ 조건에서 30Orpm으로 6, 12, 24, 48시간 동안 반응시켜 졸을 제조하였다.
  • 적가한 물의 량은 10必이었으며 적가 10초 후에 접촉각을 측정하였다. 반응시간에 따라서 시편들의 접촉각을 측정하여 각 코팅필름의 발수성을 비교하였다.
  • 본 연구에서는 CS/silane의 함량비, 반응시간 등을 달리하여 졸을 합성하고, 합성된 졸을 slide glass에 코팅한 후 300℃ 에서 경화시킨 코팅막의 득성들을 조사하였다.
  • 용매로는 isopropyl alcohol(IPA, Oriental)을 사용하였고, 액성 조절용 촉매로는 acetic acid(AA, 동양화학)를 사용하였다. 졸을 합성하는데 이용된 장치는 온도제어와 교반 속도 조절이 가능한 반응조를 사용하였다.
  • 표면의 평균조도 (Ra)는 alpha-step 500 surface profiler를 사용하여 scan length(2,000jJm), vertical range/resolution (300pm/25A), scan time(lOsec), scan speed(20um/s), sampling rate(50Hz)의 조건으로 코팅시편에 대하여 측정되었다. Ra 값은 다섯 번 측정한 값을 평균하여 얻었다.

대상 데이터

  • CS 는 (주)유니캠사의 Ludox HSA(LHSA, particle size: 12nm, pH: 4.2)를 사용하였다. 실란으로 MTMS 와 TMOS는 Toshiba의 TSL 8113과 TSL 8114를 사용하였다.
  • 2)를 사용하였다. 실란으로 MTMS 와 TMOS는 Toshiba의 TSL 8113과 TSL 8114를 사용하였다. 용매로는 isopropyl alcohol(IPA, Oriental)을 사용하였고, 액성 조절용 촉매로는 acetic acid(AA, 동양화학)를 사용하였다.
  • 실란으로 MTMS 와 TMOS는 Toshiba의 TSL 8113과 TSL 8114를 사용하였다. 용매로는 isopropyl alcohol(IPA, Oriental)을 사용하였고, 액성 조절용 촉매로는 acetic acid(AA, 동양화학)를 사용하였다. 졸을 합성하는데 이용된 장치는 온도제어와 교반 속도 조절이 가능한 반응조를 사용하였다.
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