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NTIS 바로가기Semiconductor Electronics, 2006. ICSE `06. IEEE International Conference on, 2006 Nov., 2006년, pp.651 - 655
Tayel, M. (Alexandria Univ., Alexandria) , El-Shawarby, A. (Alexandria Univ., Alexandria)
This paper presents a study of the performance of the three most important silicone carbide (SiC) polytypes namely4H, 6H and 3C-SiC. The models describe the dependence of electron mobility on doping concentration, temperature, and electric field. The results show that SiC materials mobility almost d...
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