선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A2 공개 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0058228 (2011-10-28) |
공개번호 | WO-0058514 (2012-05-03) |
우선권정보 | US-40780410 (2010-10-28); US-201113282305 (2011-10-26) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
An integrated circuit (1000) is formed on an SOI substrate containing an extended drain MOS transistor with a through-substrate diode (1024) in a drain or body region coupled to the handle wafer through a p-n junction (1016), that is electrically isolated from the drain or body region.
대표청구항이 없습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.