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NTIS 바로가기Semiconductor Electronics, 2008. ICSE 2008. IEEE International Conference on, 2008 Nov., 2008년, pp.117 - 121
Khare, K. (Dept. of ECE, Maulana Azad Nat. Inst. of Technol., Bhopal) , Khare, N. (M.P. Govt. Tech. Educ.) , Kulhade, V.K. (Dept. of ECE, Maulana Azad Nat. Inst. of Technol., Bhopal) , Deshpande, P. (Dept. of ECE, Maulana Azad Nat. Inst. of Technol., Bhopal)
CMOS SRAM cell is very less power consuming and have less read and write time. Higher cell ratios can decrease the read and write time and improve stability. PMOS transistor with less width reduces the power consumption. This paper implements 6T SRAM cell with reduced read and write time, area and p...
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