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문제 정의
- 본 논문에서는 2차원 포아송방정식의 해석학적 모델을 이용하여 더블게이트 MOSFET의 문턱전압변화에 대하여 고찰하고자 한다. 특히 채널의 길이와 채널의 깊이 비에 따라 문턱전압의 변화를 분석하고자 한다.
- 본 논문에서는 2차원 포아송방정식의 해석학적 모델을 이용하여 더블게이트 MOSFET의 문턱전압변화에 대하여 고찰하고자 한다. 특히 채널의 길이와 채널의 깊이 비에 따라 문턱전압의 변화를 분석하고자 한다. 2장에서는 2차원 포아송방 정식의 해석학적 모델에 대하여 설명할 것이며 3장에서는 이 모델을 이용하여 계산한 문턱전압변 화특성 대하여 설명할 것이다.
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