문제 정의

• 후)드레인유기장벽 감소">드레인유기장벽감소 현상에도 영향을 미친다. 그러므로 본 연구에서는 소자파라미터에 대한 드레인유기장벽감소현상을 채널도핑강도의 변화에 대하여 고찰할 것이다.
• 본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인드레인유기장벽감소에 대하여 분석하였다. 본 연구에서는 후)소자파 라미터에">소자파라미터에 대한 구체적인 고찰도 하지 않았다. 이에 본 연구에서는 Tiwari의 모델을 설명하고 장단점을 분석한 후, 드레인유기장벽감소현상을 소자파라미터의 변화에 대하여 고찰하고자 한다.

  제안 방법

  • 그러나 z방향으로의 전위분포는 거의 일정하므로[4] x, y 방향의 2차원 전위분포만을 이용하여 해석학적 모델를 유도하였다. n(x)는 후)하나인드레인유기장벽 감소에">하나인드레인유기장벽감소에 대하여 분석하였다. 본 연구에서는 드레인유기장벽감소를 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 후)드레인 전압의">드레인전압의 영향력이 상대적으로 증가함을 알 수 있다. 본 연구에서는 식 (4)를 이용하여 문턱전압을 구하였으며 이때 드레인 전압을 1V 변화시켰을 때 문턱전압의 변화 즉, 드레인유기장벽감소 현상을 식(2)의 이온주입범위 및 분포편차를 변화시키면서 구하여 고찰하였다. 즉 후)수치해 석학적">수치해석학적 값과 비교하였다. 즉, 드레인 전압이 0.1V와 0.3V일 때 그리고 게이트 전압이 0.1V, 0.3V일 때 이 논문의 모델을 이용하여 구한 값과 이차원 수치해석학적 방법으로 구한 결과를 비교하였다. 비교 결과 매우 후)채널도 핑강도에">채널도핑강도에 따라 소자파라미터 즉, 채널도핑의 형태 및 게이트산화막두께, 그리고 채널두께 등을 파라미터로 분석하였다.

    성능/효과

    • 후)드레인유기장벽 감소를">드레인유기장벽감소를 관찰하였다. 게이트산화막두께가 감소할수록 드레인유기장벽감소현상은 현저히 감소하는 것을 알 수 있다. 특히 후)분석 결과">분석결과 도핑강도가 증가하면 드레인유기장벽감소가 현저히 감소하는 것을 알 수 있었으며 게이트산화막두께가 감소할수록 드레인유기장벽감소현상도 현저히 감소하는 것을 알 수 있었다. 이상의 결과는 향후 후)수치해 석학적">수치해석학적 방법으로 구한 결과를 비교하였다. 비교 결과 매우 잘 일치하고 있는 것을 알 수 있었다. 이는 이미 발표한 논문[6]에서도 설명한

      후속연구

      • 후)드레인 유기장벽감소현상도">드레인유기장벽감소현상도 현저히 감소하는 것을 알 수 있었다. 이상의 결과는 향후 이중게이트 MOSFET의 설계의 기초로 사용될 수 있다고 사료된다.