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산화물 박막 증착 시 발생하는 산소 음이온 측정 원문보기

한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집, 2015 Aug. 24, 2015년, pp.150.1 - 150.1  

최진우 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  박혜진 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  조태훈 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  황상혁 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  박종인 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  윤명수 (광운대학교 전자바이오물리학과) ,  권기청 (광운대학교 전자바이오물리학과)

초록
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일부 금속들은 산화물을 형성하여 반도체적 성질을 갖게 되는데 이를 산화물 반도체라 한다. 산화물 반도체는 전자의 전도 특성에 의해 기존에 널리 사용되고 있는 a-Si 반도체 보다 뛰어난 전자 이동도를 갖고 넒은 Band gap energy를 갖기 때문에 누설 전류가 적어 Device 제작 시 저전력 구동이 가능하다는 장점이 있어 관련 연구가 활발히 진행 중이다. 산화물 박막을 증착하는 방법으로는 용액 공정, CVD, Sputtering 등이 있다. 그 중 Sputtering을 이용한 산화물 박막 증착 시 산소 음이온이 기판으로 가속하여 박막에 충돌, 박막 물성에 영향을 준다는 연구결과가 보고되고 있다. 본 연구에서는 Sputtering을 이용하여 ITO를 증착하는 과정에서 발생하는 산소 음이온을 측정하는 장치를 개발하여 산소 음이온 발생여부를 확인해 보았다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 Sputtering을 이용하여 ITO를 증착하는 과정에서 발생하는 산소 음이온을 측정하는 장치 를 개발하여 산소 음이온 발생여부를 확인해 보았다.
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