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제안 방법
- 또한, precursor와 oxidant의 주입량을 변화시키기 위해 일부 실험에서는 이들의 온도를 가열을 통해 증가시켰다. ZnO 박막을 형성시키기 위한 한 싸이클은 DEZ 주입-purge-reactant(H2O, H2O2)주입-purge 단계로 이루어져 있고 각각 1초-10초-2초-10초로 실험을 진행하였다. 전기적 저항의 측정은 4 point-probe와 hall measurement를 통해 5회 이상 측정하여 신뢰도를 높혔으며, XRD와 HRTEM을 통한 박막의 결정구조 분석과 PL 특성 분석을 통해 defect 분석을 진행하여 전기적 저항과의 연관관계를 밝혀내었으며, 증착 parameter와 전기적 저항간 mapping을 통해 나타내었다.
- ZnO 박막을 형성시키기 위한 한 싸이클은 DEZ 주입-purge-reactant(H2O, H2O2)주입-purge 단계로 이루어져 있고 각각 1초-10초-2초-10초로 실험을 진행하였다. 전기적 저항의 측정은 4 point-probe와 hall measurement를 통해 5회 이상 측정하여 신뢰도를 높혔으며, XRD와 HRTEM을 통한 박막의 결정구조 분석과 PL 특성 분석을 통해 defect 분석을 진행하여 전기적 저항과의 연관관계를 밝혀내었으며, 증착 parameter와 전기적 저항간 mapping을 통해 나타내었다.
대상 데이터
- 본 연구에서는 DEZ 및 DEZDMEA 전구체와 다양한 reactant(H2O2, H2O 등)를 이용하여 기판온도를 100도에서 200까지 변화시키면서 ZnO을 증착하였다. 모든 반응물(H2O, H2O2)는 10도로 유지하였으며 공정 압력은 0.
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