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문제 정의
- 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 도핑농도 변화에 따른 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 문턱전압을 구하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식으로부터 급수형태로 유도하였다.
- 식 (6)의 드레인 전류를 상단게이트 전압에 대하여 그림 2b)와 같이 구하여 전술한 바와 같이 문턱전압의 정의에 의하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구에서는 이와 같이 구한 문턱전압의 채널도핑농도에 따른 변화를 고찰하고자 한다.
- 식 (6)을 이용하여 구한 문턱전압의 타당성은 이미 기존의 논문[10]에서 언급하였으므로 본 연구에서는 채널도핑농도에 따른 문턱전압의 변화에 대하여 고찰할 것이다. 그림 3에 채널길이를 파라미터로 구한 채널도핑농도에 따른 문턱전압의 변화를 도시하였다.
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