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NTIS 바로가기국가/구분 | European Patent Office(EP) / A2 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | EP-0119065 (1990-10-04) |
공개번호 | EP-0421430 (1991-04-10) |
우선권정보 | US-0416750 (1989-10-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A plasma process method and apparatus capable of operation significantly above 13.56 MHz can produce reduced self-bias voltage of the powered electrode to enable softer processes that do not damage thin layers that are increasingly becoming common in high speed and high density integrated circuits.
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