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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0774127 (1991-10-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 62 인용 특허 : 0 |
A plasma process apparatus capable of operation significantly above 13.56 MHz can produce reduced self-bias voltage of the powered electrode to enable softer processes that do not damage thin layers that are increasingly becoming common in high speed and high density integrated circuits. A nonconven
A nonreactive, nonselective, inert gas ion, soft plasma etch process comprising the steps of: (a) igniting a plasma containing inert gas ions within a reactor chamber in a plasma reactor; (b) maintaining within said reactor chamber a gas pressure in the range 0.5-30 milliTorr; and (c) providing rf p
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