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[미국특허] Hydrogen annealing process for stabilizing metal-oxide-semiconductor structures 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01I-007/54
출원번호 US-0840620 (1977-10-11)
발명자 / 주소
  • Levinstein Hyman J. (Berkeley Heights NJ) Sinha Ashok K. (Murray Hill NJ)
출원인 / 주소
  • Bell Telephone Laboratories, Incorporated (Murray Hill NJ 02)
인용정보 피인용 횟수 : 33  인용 특허 : 0

초록 ▼

Variations in threshold voltage of Metal-Oxide-Silicon (MOS) structures are attenuated by the inclusion in the fabrication process of a hydrogen anneal step using a temperature range of 650 degrees C≤T≤950 degrees C. This anneal step is designed to be the last step in the fabrication process which i

대표청구항 ▼

In a process of fabricating a semiconductor device, the device comprising a semiconductor substrate having a major surface which is at least partially covered by a layer of silicon dioxide, the last fabrication step in the process which is performed at temperatures of 600 degrees C. or greater being

이 특허를 인용한 특허 (33)

  1. Kim, Sang-Shin; Rivera, Manuel Scott; Hong, Suk-Dong, Computer readable medium for high pressure gas annealing.
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  2. Wallace Robert M. ; Harvey Kenneth C., Deuterium sintering with rapid quenching.
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  3. Lyding, Joseph W.; Hess, Karl; Lee, Jinju, Deuterium treatment of semiconductor device.
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  4. Lyding Joseph W. ; Hess Karl, Deuterium-treated semiconductor devices.
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  5. Blakely Jack M. ; Tanaka So,JPX ; Umbach Christopher C. ; Tromp Rudolf M., Fabrication of atomic step-free surfaces.
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  6. Kamgar Avid (Millington NJ) Sinha Ashok K. (New Providence NJ), Fabrication of semiconductor devices including double annealing steps for radiation hardening.
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  7. Lyding Joseph W. ; Hess Karl, Forming of deuterium containing nitride spacers and fabrication of semiconductor devices.
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  8. Huang Ji-Chung,TWX ; Hsieh Jang-Cheng,TWX ; Wu Chung-Cheng,TWX ; Huang Kuo-Ching,TWX, Hydrogen thermal annealing method for stabilizing microelectronic devices.
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  9. Yamazaki Shunpei,JPX, Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method.
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  10. Yamazaki, Shunpei, Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method.
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  11. Gary Daniel,FRX ; Girard Jean-Marc,FRX ; Rostaing Jean-Christophe,FRX ; Friedt Jean-Marie,FRX, Method and system for recovering and recirculating a deuterium-containing gas.
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  12. Saks Nelson S. (Alexandria VA), Method for fabricating MNOS structures utilizing hydrogen ion implantation.
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  13. Kim, Sang-Shin; Rivera, Manuel Scott; Hong, Suk-Dong, Method for high pressure gas annealing.
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  14. Nakajima Ryuji,JPX, Method for manufacturing semiconductor device capable of effectively carrying out hydrogen passivation.
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  15. Yamazaki, Shunpei; Shimada, Hiroyuki; Takenouchi, Akira; Takemura, Yasuhiko, Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device.
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  16. Yamazaki Shunpei,JPX ; Shimada Hiroyuki,JPX ; Takenouchi Akira,JPX ; Takemura Yasuhiko,JPX, Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device.
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  17. Yatsuda Yuji (Hachioji JPX) Minami Shinichi (Kokubunji JPX) Kondo Ryuji (Kodaira JPX) Hagiwara Takaaki (Kodaira JPX) Itoh Yokichi (Hachioji JPX), Method for producing a nonvolatile memory device.
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  18. Arlt Manfred (Krailling DEX) Dathe Joachim (Munich DEX), Method for stabilizing the current gain of NPN -silicon transistors.
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  19. Lowell John K., Method of forming buried oxygen layer using MeV ion implantation.
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  20. Solo de Zaldivar Jose (Wdenswill CHX), Method of manufacturing a semiconductor device.
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  21. Lee Michael J. (High Wycombe GB2), Method of manufacturing semiconductor devices and product therefrom.
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  22. Chu Huey-Chi,TWX ; Lin Yeh-Sen,TWX, Method to improve intrinsic refresh time and dichlorosilane formed gate oxide reliability.
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  23. Chetlur, Sundar Srinivasan; Roy, Pradip Kumar; Patel, Minesh Amrat; Sen, Sidhartha; Saxena, Vivek, Methods for deuterium sintering.
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  24. Yamazaki, Shunpei, Operation method of semiconductor devices.
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  25. Yamazaki, Shunpei, Operation method of semiconductor devices.
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  26. Shirai Kazunari (Yokohama JPX) Tanaka Izumi (Yokohama JPX) Tanaka Shinpei (Yokohama JPX) Nishimoto Keiji (Yokohama JPX), Process for producing a semiconductor device.
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  27. Lin, Chuan, Reduction of negative bias temperature instability in narrow width PMOS using F2 implantation.
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  28. Shunpei Yamazaki JP; Yujiro Nagata JP, Semiconductor device.
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  29. Yamazaki Shunpei,JPX ; Nagata Yujiro,JPX, Semiconductor device.
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  30. Joseph W. Lyding ; Karl Hess, Semiconductor devices and methods for same.
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  31. Lyding, Joseph W.; Hess, Karl, Semiconductor devices, and methods for same.
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  32. Abadeer, Wagdi W.; Kamal, legal representative, Lilian; Ellis-Monaghan, John J.; Gambino, Jeffrey P.; Lee, Tom C., Semiconductor wafer processing method that allows device regions to be selectively annealed following back end of the line (BEOL) metal wiring layer formation.
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  33. Udayakumar, Kezhakkedath R.; San, Kemal Tamer, Thermal treatment for reducing transistor performance variation in ferroelectric memories.
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