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[한국특허] 반도체 제조공정의 세정 방법
CLEANING METHOD OF SEMICONDUCTOR PROCESS 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
출원번호 10-1993-0003353 (1993-03-05)
공개번호 10-1994-0022727 (1994-10-21)
공고번호 10-0114270-0000 (1996-12-21)
등록번호 10-0114270-0000 (1997-04-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1019930003353
발명자 / 주소
  • 김재정 / 서울특별시서초구방배동***-**
  • 김형태 / 서울특별시도봉구수유*동***-**
출원인 / 주소
  • 현대반도체 주식회사 / 충북 청주시 흥덕구 향정동 *번지
대리인 / 주소
  • 김용인; 심창섭 (KIM, Yong In)
  • 서울 강남구 역삼*동 ***-** 여삼빌딩 **층(***특허법률사무소); 서울 강남구 역삼*동 ***-** 여삼빌딩 **층(***특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1993-03-05)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 반도체 제조 공정중 세정 방법에 관한 것으로 종래에는 NH4OH 용액 : H2O2 용액 : H2O를 1 : 1 : 5 또는 1 : 2 : 10비율로 크리닝 탱크에 주입하여 실제온도로 가열하여 세정하였다.따라서 세정용액의 불순물 함유 미립자 함유, 조성비 변화로 인한 크리닝 효율이 저하되었다.본 발명은 NH2 가스, O3 가스 및 탈이온수를 크리닝 탱크에 주입하여 NH3가스가 H2O와 반응하여 NH4OH를 형성하고 O3 가스가 O2+O 또는 O3+H2O+H2O2+O2로 반응하여 종래와 같은 세정액을 형성한다.따라서, 미립자

대표청구항

크리닝 탱크에 탈이온수를 주입함과 동시에 염기성 가스와 산화제 가스를 각각 주입하여 형성된 세정액을 이용하여 세정대상물을 세정함을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정방법.

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