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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)이노쎄라 |
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연구책임자 | 전동일 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-12 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201600018212 |
과제고유번호 | 1415125140 |
사업명 | 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 식각률.파티클.표면불순물농도.불순물.반응소결탄화규소 링. |
1. 개발목표
-12“ SiSiC ring의 파티클 제어 및 내식성 향상 제조기술 개발
최종 제품의 세정 및 표면처리기술 개발
내식성 향상 조성 및 조성 개발
밀도: 3.00g/cm3
Surface trace element(1010atoms/cm2): Al 1200,Fe 600, K,Na 800이하
Metal impurity(ppm) : 150 미만
Etching rate(ratio) : Si 대비 0.65 미만
Particle :
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