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폴리실리콘 식각 용액 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-007/00
출원번호 10-1993-0031169 (1993-12-30)
공개번호 10-1995-0019927 (1995-07-24)
DOI http://doi.org/10.8080/1019930031169
발명자 / 주소
  • 이완기 / 경기도구리시교문동***-**
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo)
  • 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층; 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 폴리실리콘 식각용액에 관한 것으로, 핀형구조의 캐패시터 전하저장전극 형성시 불순물이 도핑된 도프(doped)폴리실리콘과 불순물이 도핑안된 언도프(undoped)폴리실리콘을 적층하여 선택적으로 식각함에 의해 핀형구조를 이루도록 할 때, 폴리실리콘은 식각용액으로 NH4OH에 H2O2와 순수(DI)을 적정비율로 혼합하여 도프 폴릴실리콘과 언도프 폴리실리콘을 선택적으로 용이하게 식각할 수 있는 폴리실리콘 식각용액에 관해 기술된다.

대표청구항

선택적으로 폴리실리콘을 식각하는 폴리실리콘 식각용액에 있어서, 폴리실리콘 식각용액인 NH4OH에 H2O2와 순수물(DI)을 혼합한 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 식각용액.

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