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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1994-0014583 (1994-06-24) |
공개번호 | 10-1996-0002593 (1996-01-26) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019940014583 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 반도체소자의 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, PEB공정과 현상공정간의 지연시간에 따른 열에너지를 일정하게 제어하도록 하기 위하여 PEB공정과 현상공정사이에 쿨링공정을 추가한다. 그로 이하여 웨이퍼간에 CD 균일도 향상 및 공정안정화를 유지할 수 있는 기술이다.
화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 화학증폭형 레지스트 도포하는 공정단계와, 노광 고정단계와, PEB공정단계와, 쿨링 공정단계와, 현상 공정단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법.
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